1
composite 晶体管
XP2401
硅 pnp 外延的 planer 晶体管
为 一般 放大器
■
特性
●
二 elements 组成公司的 在 一个 包装.
(根基-结合 晶体管)
●
减少 的 这 挂载 范围 和 组装 费用 用 一个 half.
■
基本 部分 号码 的 元素
●
2SB709A
×
2 elements
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
标记 标识:
7R
内部的 连接
1 : 发射级 (tr1) 4 : 集电级 (tr2)
2 : 根基 5 : 集电级 (tr1)
3 : 发射级 (tr2) eiaj : sc–88a
s–mini 类型 包装 (5–pin)
2.1
±
0.1
0.425
1.25
±
0.1
0.2
±
0.05
2.0
±
0.1
0.65
1
2
3
4
5
0.9
±
0.1
0.7
±
0.1
0.2
0 至 0.1
0.12
+0.05
– 0.02
0.2
±
0.1
0.425
0.65
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压
V
CBO
–60 V
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
–50 V
发射级 至 根基 电压
V
EBO
–7 V
集电级 电流 I
C
–100 毫安
顶峰 集电级 电流
I
CP
–200 毫安
总的 电源 消耗
P
T
150 mW
接合面 温度
T
j
150 ˚C
存储 温度
T
stg
–55 至 +150 ˚C
比率
的
元素
整体的
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0 –60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= –2ma, i
B
= 0 –50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0 –7 V
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= –20v, i
E
= 0 – 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= –10v, i
B
= 0 –100
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= –10v, i
C
= –2ma 160 460
向前 电流 转移 h
FE
比率
h
FE
(小/大)
*1
V
CE
= –10v, i
C
= –2ma 0.5 0.99
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= –100ma, i
B
= –10ma – 0.3 – 0.5 V
转变 频率 f
T
V
CB
= –10v, i
E
= 1ma, f = 200mhz 80 MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
= –10v, i
E
= 0, f = 1mhz 2.7 pF
*1
比率 在 2 elements
15
Tr2
Tr1
2
34
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