BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面 挂载
硅 齐纳 二极管
0.5 watt, 2.4 thru 75 伏特
±
5% 容忍
sod-80 情况
Central
半导体 corp.
TM
r0 ( 13-十一月 2001)
描述:
这 central 半导体 bzv55c2v4
序列 表面 挂载 硅 齐纳 二极管 是 一个
高 质量, 好 构成, 高级地 可依靠的
组件 设计 为 使用 在 所有 类型 的
商业的, 工业的, entertainment, 计算机,
和 automotive 产品.
齐纳 测试 最大 齐纳 最大 最大
类型 非. 电压 电流 阻抗 反转 齐纳
电流 电流
V
Z
@ i
ZT
最小值 NOM 最大值 I
ZT
Z
ZT
@I
ZT
Z
ZK
@ i
ZK
I
R
@ v
R
I
ZM
伏特 伏特 伏特 毫安
ΩΩ
毫安
µ
一个 伏特 毫安
BZV55C2V4 2.280 2.4 2.520 5.0 100 600 1.0 50 1.0 208
BZV55C2V7 2.565 2.7 2.835 5.0 100 600 1.0 20 1.0 185
BZV55C3V0 2.850 3.0 3.150 5.0 95 600 1.0 10 1.0 167
BZV55C3V3 3.135 3.3 3.465 5.0 95 600 1.0 5.0 1.0 152
BZV55C3V6 3.420 3.6 3.780 5.0 90 600 1.0 5.0 1.0 139
BZV55C3V9 3.705 3.9 4.095 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 128
BZV55C4V3 4.085 4.3 4.515 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 116
BZV55C4V7 4.465 4.7 4.935 5.0 80 500 1.0 3.0 2.0 106
BZV55C5V1 4.845 5.1 5.355 5.0 60 480 1.0 2.0 2.0 96
BZV55C5V6 5.320 5.6 5.880 5.0 40 400 1.0 1.0 2.0 89
BZV55C6V2 5.890 6.2 6.510 5.0 10 150 1.0 3.0 4.0 81
BZV55C6V8 6.460 6.8 7.140 5.0 15 80 1.0 2.0 4.0 74
BZV55C7V5 7.125 7.5 7.875 5.0 15 80 1.0 1.0 5.0 67
BZV55C8V2 7.790 8.2 8.610 5.0 15 80 1.0 0.7 5.0 61
BZV55C9V1 8.645 9.1 9.555 5.0 15 100 1.0 0.5 6.0 55
BZV55C10 9.500 10 10.50 5.0 20 150 1.0 0.1 7.0 50
BZV55C11 10.45 11 11.55 5.0 20 150 1.0 0.1 8.0 45
最大 比率:
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
标识 单位
平均 向前 电流 I
O
250 毫安
顶峰 repetitive 向前 电流 I
FRM
250 毫安
电源 消耗 (t
L
=50°c) P
D
500 mW
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +200 °C
电的 特性:
(t
一个
=25°c), v
F
=0.9v 最大值 @ i
F
=10mA 为 所有 类型.
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