Central
半导体 corp.
TM
sod-80 情况 - 机械的 外形
BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面 挂载
硅 齐纳 二极管
0.5 watt, 2.4 thru 75 伏特
±
5% 容忍
r0 ( 13-十一月 2001)
电的 特性 持续:
(t
一个
=25°c), v
F
=0.9v 最大值 @ i
F
=10mA 为 所有 类型.
齐纳 测试 最大 齐纳 最大 最大
类型 非. 电压 电流 阻抗 反转 齐纳
电流 电流
V
Z
@ i
ZT
最小值 NOM 最大值 I
ZT
Z
ZT
@I
ZT
Z
ZK
@ i
ZK
I
R
@ v
R
I
ZM
伏特 伏特 伏特 毫安
ΩΩ
毫安
µ
一个 伏特 毫安
BZV55C12 11.40 12 12.60 5.0 25 150 1.0 0.1 8.0 42
BZV55C13 12.35 13 13.65 5.0 30 170 1.0 0.1 8.0 38
BZV55C15 14.25 15 15.75 5.0 30 200 1.0 0.05 10.5 33
BZV55C16 15.20 16 16.80 5.0 40 200 1.0 0.05 11.2 31
BZV55C18 17.10 18 18.90 5.0 45 225 1.0 0.05 12.6 28
BZV55C20 19.00 20 21.00 5.0 55 225 1.0 0.05 14.0 25
BZV55C22 20.90 22 23.10 5.0 55 250 1.0 0.05 15.4 23
BZV55C24 22.80 24 25.20 5.0 70 250 1.0 0.05 16.8 21
BZV55C27 25.65 27 28.35 2.0 80 300 0.5 0.05 18.9 19
BZV55C30 28.50 30 31.50 2.0 80 300 0.5 0.05 21.0 17
BZV55C33 31.35 33 34.65 2.0 80 325 0.5 0.05 23.1 15
BZV55C36 34.20 36 37.80 2.0 90 350 0.5 0.05 25.2 14
BZV55C39 37.05 39 40.95 2.0 130 350 0.5 0.05 27.3 13
BZV55C43 40.85 43 45.15 2.0 150 375 0.5 0.05 30.1 12
BZV55C47 44.65 47 49.35 2.0 170 375 0.5 0.05 32.9 11
BZV55C51 48.45 51 53.55 2.0 180 400 0.5 0.05 35.7 9.9
BZV55C56 53.20 56 58.80 2.0 200 425 0.5 0.05 39.2 8.9
BZV55C62 58.90 62 65.10 2.0 215 450 0.5 0.05 43.4 8.0
BZV55C68 64.60 68 71.40 2.0 240 475 0.5 0.05 47.6 7.4
BZV55C75 71.25 75 78.75 2.0 255 500 0.5 0.05 52.5 6.7
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