sot223 n-频道 增强 模式
低 门槛 vertical dmos 场效应晶体管
公布 2 - january 1996
✪
特性
*V
DS
- 200v
*R
ds(在)
- 10
Ω
partmarking detail - zvnl120
绝对 最大 比率.
参数 SYMBOL 值 单位
流-源 电压 V
DS
200 V
持续的 流 电流 在 t
amb
=25°C I
D
320 毫安
搏动 流 电流 I
DM
2A
门-源 电压 V
GS
±
20
V
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
2W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 最大值 单位 情况.
流-源 损坏
电压
BV
DSS
200 V I
D
=1ma, v
GS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
0.5 1.5 V I
D
=1ma, v
DS
= v
GS
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA
V
GS
=
±
20v, v
DS
=0V
零 门 电压 流
电流
I
DSS
10
100
µ
一个
µ
一个
V
DS
=200v, v
GS
=0V
V
DS
=160v, v
GS
=0v,
T=125°C
(2)
在-状态 流 电流(1) I
d(在)
500 毫安 V
DS
=25v, v
GS
=5V
静态的 流-源 在-状态
阻抗 (1)
R
ds(在)
10
10
Ω
Ω
V
GS
=5v, i
D
=250mA
V
GS
=3v, i
D
=125mA
向前 跨导(1)(2) g
fs
200 mS V
DS
=25v, i
D
=250mA
输入 电容 (2) C
iss
85 pF
一般 源 输出
电容 (2)
C
oss
20 pF V
DS
=25v, v
GS
=0v, f=1mhz
反转 转移 电容 (2) C
rss
7pF
转变-在 延迟 时间 (2)(3) t
d(在)
8ns
V
DD
≈
25v, i
D
=250mA
上升 时间 (2)(3) t
r
8ns
转变-止 延迟 时间 (2)(3) t
d(止)
20 ns
下降 时间 (2)(3) t
f
12 ns
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2% (2) 样本 测试.
(3) 切换 时间 量过的 和 50
Ω
源 阻抗 和 <5ns 上升 时间 在 一个 脉冲波 发生器
ZVNL120G
3 - 420
D
D
S
G
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