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资料编号:739961
 
资料名称:ZVNL120G
 
文件大小: 47.65K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
典型 chARACTERISTICS
输出 特性
V
DS
- 流 源
电压 (伏特)
I
d(
O
n
)
Dr
一个
i
n
C
u
r
r
en
t (放大
s
)
饱和 特性
I
d(
O
n
)
流 电流 (放大器)
V
DS
- 流 源
电压 (伏特)
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
4V
3V
V
GS
=
1.6
1.2
0.4
0
0.8
1.4
1.0
0.6
0.2
10V
4V
3V
V
GS
=
0.6
0
0.2
0.4
0.8
02 46810
1.0
8V
5V
2V
2V
8V
6V
V
gs-
门 源 电压
(伏特)
300
0
100
200
400
12345678910
500
V
DS=
25V
跨导 v 门-源 电压
g
fs
-t
ransconductance (ms)
跨导 v 流 电流
I
D
- 流 电流 (放大器
)
g
fs
-
T
r
一个
sc
o
n
ducta
n
c
e
(
mS
)
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0
0
100
200
400
300
500
1.2
1.4
1.6 1.8 2.0
V
DS=
25V
10V
6V
转移 特性
I
d(
O
n
)
Dr
一个
i
n
C
u
r
r
e
nt (
放大器
)
V
gs-
门 源
电压 (伏特)
012345678910
V
DS=
40V
0.8
0
1.6
1.2
0.6
1.4
1.0
0.4
0.2
20V
10V
V
DS
-流 源 电压 (伏特)
电容 v 流-源 电压
c-
Capa
c
ita
n
c
e
(
p
F
)
C
oss
C
iss
C
rss
0
10 20
30
40 50
60
40
20
80
100
典型 特性
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
vs 温度
r
mal
ise
d
R
ds(在)
和 v
G
s(t
h)
-40
-20 0 20 40 60 80
120
100 140 160
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.6
0.8
Drai
n
-
S
o
u
r
c
e
R
e
s
i
s
ta
n
c
e
R
ds(
o
n
)
T
h
res
h
o
l
d
V
o
l
tag
e
V
GS
(
th
)
T
j
-接合面 温度 (c°)
0.4
-80
-60
q-承担 (nc)
V
G
S
-门 源 电压 (v
olts)
门 承担 v 门-源 电压
0
10
8
6
2
0
4
12
14
16
V
DS
=
50V
I
D=
700mA
100V
150V
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
I
D=
125mA
V
GS=
3V
I
D=
1mA
V
GS=
V
DS
在-阻抗 v 流 电流
I
d-
流 电流
(毫安)
R
ds(在)
-流 源 在 阻抗 (
)
10
100
1000
3V
4V
V
GS
=2V
100
10
10V
5V
I
D=
250mA
V
GS=
5V
在-阻抗 vs 门-源 电压
V
GS
-门 源 电压
(伏特)
R
ds(在)
-流 源 阻抗
(
)
11020
I
D=
1A
0.5a
0.1a
1
10
100
1
ZVNL120GZVNL120G
3 - 421 3 - 422
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