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资料编号:739985
 
资料名称:ZVP4525E6
 
文件大小: 406.04K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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公布 1 - march 2001
ZVP4525E6
2
绝对 最大 比率.
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DSS
-250 V
电压 V
GS
±
40
V
持续的 电流 (v
GS
=10v; ta=25°c)(一个)
(v
GS
=10v; ta=70°c)(一个)
I
D
I
D
-197
-157
毫安
毫安
搏动 电流 (c) I
DM
-1 一个
持续的 电流 (身体 二极管) I
S
-0.75 一个
搏动 电流 (身体 二极管) I
SM
-1 一个
电源 消耗 T
一个
=25°C (一个)
直线的 减额 因素
P
D
1.1
8.8
W
mw/°c
运行 存储 温度 范围 T
j
:
T
stg
-55 至 +150 °C
热的 阻抗
参数 标识 VALUE 单位
接合面 包围的 (一个) R
θ
JA
113 °c/w
接合面 包围的 (b) R
θ
JA
68 °c/w
注释
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜,
在 安静的 空气 情况
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 fr4 pcb 量过的 在 t
5 secs.
(c) repetitive 比率 - 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 谈及 至 瞬时 热的
阻抗 图表.
NB 高 电压 产品
电压 产品, 适合的 工业 sector 指导原则 应当 考虑 关于
电压 间隔 在 conductors.
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