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资料编号:739985
 
资料名称:ZVP4525E6
 
文件大小: 406.04K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
公布 1 - march 2001
ZVP4525E6
4
电的 特性 (在 T
amb
= 25°C 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
-250 -285 V I
D
=-1ma, V
GS
=0V
电压 电流 I
DSS
-30 -500 nA V
DS
=-250v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
±1 ±100 nA V
GS
=
±
40v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
-0.8 -1.5 -2.0 V I
D
=-1ma, V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗 (1) R
ds(在)
10
13
14
18
V
GS
=-10v, I
D
=-200ma
V
GS
=-3.5v, I
D
=-100ma
向前 跨导 (3) g
fs
80 200 mS V
DS
=-10v,i
D
=-0.15a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
73 pF
V
DS
=-25 v, V
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
12.8 pF
反转 转移 电容 C
rss
3.91 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
1.53 ns
V
DD
=-30v, I
D
=-200ma
R
G
=50
,v
GS
=-10v
(谈及 测试 电路)
上升 时间 t
r
3.78 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
17.5 ns
下降 时间 t
f
7.85 ns
总的 承担 Q
g
2.45 3.45 nC
V
DS
=-25v,v
GS
=-10v,
I
D
=-200ma(谈及
测试 电路)
门-源 承担 Q
gs
.22 .31 nC
承担 Q
gd
.45 .63 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压 (1) V
SD
0.97 V T
j
=25°c, I
S
=-200ma,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间 (3) t
rr
205 290 ns T
j
=25°c, I
F
=-200ma,
di/dt= 100a/
µ
s
反转 恢复 承担 (3) Q
rr
21 29 nC
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
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