ZXM64P02XTA_集成电路资料查询网

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SUMMARY
V
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=0.090
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D
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描述
这个 新 一代 的 高 密度 mosfets 从 zetex utilises 一个 唯一的
结构 那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换
速. 这个 制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源
管理 产品.
特性
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低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门槛
•
低 门 驱动
•
低 profile soic 包装
产品
•
直流 - 直流 转换器
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电源 管理 功能
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disconnect switches
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发动机 控制
订货 信息
设备 卷轴 大小
(英寸)
录音带 宽度 (mm) QUANTITY
每 卷轴
ZXM64P02XTA 7 12mm 压印浮凸 1000  单位
ZXM64P02XTC 13 12mm 压印浮凸 4000 单位
设备 标记
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ZXM4P02
20v p-频道 增强 模式 场效应晶体管
MSOP8
ZXM64P02X
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provisional 公布 一个 - july 1999

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顶视图 SUMMARY V (br)dss =-20v; r ds(在) =0.090  ; I D = -3.5a 描述这个新一代的高密度 mosfets 从 zetex utilises 一个唯一的结构那结合这益处的低在-阻抗和快切换速. 这个制造它们完美的为高效率, 低电压, 电源管理产品. 特性 • 低在-阻抗 • 快切换速 • 低门槛 • 低门驱动 • 低 profile soic 包装产品 • 直流 - 直流转换器 • 电源管理功能 • disconnect switches • 发动机控制订货信息设备卷轴大小 (英寸) 录音带宽度 (mm) QUANTITY 每卷轴 ZXM64P02XTA 7 12mm 压印浮凸 1000 单位 ZXM64P02XTC 13 12mm 压印浮凸 4000 单位设备标记 • ZXM4P02 20v p-频道增强模式场效应晶体管 MSOP8 ZXM64P02X 1234 8 7 65 S S S G D D D D 137 provisional 公布一个 - july 1999

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