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资料编号:742245
 
资料名称:ZXM64P02XTA
 
文件大小: 205.69K
   
说明
 
介绍:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
-20 V
I
D
=-250
µ
一个, v
GS
=0V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
-1
µ
一个
V
DS
=-20v, v
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
±
100
nA
V
GS
=
±
12v, v
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
-0.7 V
I
D
=-250
µ
一个, v
DS
= v
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗
(1)
R
ds(在)
0.090
0.13
V
GS
=-4.5v, i
D
=-2.4a
V
GS
=-2.7v, i
D
=-1.2a
向前 跨导 (3) g
fs
2.6 S V
DS
=-10v,i
D
=-1.2a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
900 pF
V
DS
=-15 v, v
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
350 pF
反转 转移 电容 C
rss
150 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
5.6 ns
V
DD
=-10v, i
D
=-2.4a
R
G
=6.0
, r
D
=4.0
(谈及 至 测试 电路)
上升 时间 t
r
12.3 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
45.5 ns
下降 时间 t
f
40.0 ns
总的 门 承担 Q
g
6.9 nC
V
DS
=-16v,v
GS
=-4.5v,
I
D
=-2.4a
(谈及 至 测试 电路)
门-源 承担 Q
gs
1.3 nC
门 流 承担 Q
gd
2.5 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压 (1) V
SD
-0.95 V T
j
=25°c, i
S
=-2.4a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间 (3) t
rr
46.0 ns T
j
=25°c, i
F
=-2.4a,
di/dt= 100a/
µ
s
反转 恢复 承担(3) Q
rr
35.0 nC
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
140
ZXM64P02X
provisional 公布 一个 - july 1999
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