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资料编号:744997
 
资料名称:2SC458LG
 
文件大小: 41K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2sc458 (lg), 2sc2310
3
电的 特性
(ta = 25°c)
2sc458 (lg) 2SC2310
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
30 55 V I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
30 50 V I
C
= 1 毫安, r
=
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5 ——5 ——V I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
0.5 0.5
µ
AV
CB
=18 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
0.5 0.5
µ
AV
EB
= 2 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
100 500 100 320 V
CE
= 12 v, i
C
= 2 毫安
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
0.2 0.2 V I
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安
根基 至 发射级 电压 V
0.67 0.75 0.67 0.75 V V
CE
= 12 v, i
C
= 2 毫安
增益 带宽 产品 f
T
230 230 MHz V
CE
= 12 v, i
C
= 2 毫安
集电级 输出
电容
Cob 1.8 3.5 1.8 3.5 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
噪音 图示 NF 3 5 3 5 dB V
CE
= 6 v, i
C
= 0.1 毫安,
f = 120 hz, r
g
= 500
小 信号 输入
阻抗
h
ie
16.5 16.5 k
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma,
f = 270 hz
小 信号 电压
反馈 比率
h
re
—70——70—
×
10
–6
小 信号 电流
转移 比率
h
fe
130 130
小 信号 输出
admittance
h
oe
11.0 11.0
µ
S
便条: 1. 这 2sc458 (lg) 和 2sc2310 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
BCD
2sc458 (lg) 100 至 200 160 至 320 250 至 500
2SC2310 100 至 200 160 至 320
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