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2sc458 (lg), 2sc2310
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小 信号 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
集电级 电流  i
C
(毫安)
小 信号 电流 转移 比率  h
fe
0.03 0.1 300.3 31.0 10
0
100
200
300
f = 270 hz
V
CE
= 12 v
根基 至 发射级 电压 vs.
包围的 温度
包围的 温度 ta  (
°
c)
–20 0 8020 6040
0.4
0.5
0.6
0.8
0.7
0.9
根基 至 发射级 电压  v
是
(v)
V
CE
= 12 v
I
C
=  2 毫安
集电级 输出 电容 vs.
集电级 至 根基 电压
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
42081612
0
1
2
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3
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集电级 输出 电容 c
ob
(pf)
I
E
= 0
f = 1 mhz
发射级 输入 电容 vs.
发射级 至 根基 电压
发射级 至 根基 电压 v
EB
(v)
210486
0
1
2
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3
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发射级 输入 电容 c
ib
(pf)
I
C
= 0
f = 1 mhz

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2sc458 (lg), 2sc2310 5 小信号电流转移比率 vs. 集电级电流集电级电流 i C (毫安) 小信号电流转移比率 h fe 0.03 0.1 300.3 31.0 10 0 100 200 300 f = 270 hz V CE = 12 v 根基至发射级电压 vs. 包围的温度包围的温度 ta ( ° c) –20 0 8020 6040 0.4 0.5 0.6 0.8 0.7 0.9 根基至发射级电压 v 是 (v) V CE = 12 v I C = 2 毫安集电级输出电容 vs. 集电级至根基电压集电级至根基电压 v CB (v) 42081612 0 1 2 4 3 5 集电级输出电容 c ob (pf) I E = 0 f = 1 mhz 发射级输入电容 vs. 发射级至根基电压发射级至根基电压 v EB (v) 210486 0 1 2 4 3 5 发射级输入电容 c ib (pf) I C = 0 f = 1 mhz

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