6
三-状态 泄漏
电流
I
OZ
V
IL
或者 V
IH
V
O
=
V
CC
或者
地
6--
±
0.5 -
±
5-
±
10
µ
一个
hct 类型
高 水平的 输入
电压
V
IH
- - 4.5 至
5.5
2-- 2 - 2 - V
低 水平的 输入
电压
V
IL
- - 4.5 至
5.5
- - 0.8 - 0.8 - 0.8 V
高 水平的 输出
电压
cmos 负载
V
OH
V
IH
或者 V
IL
-0.02 4.5 4.4 - - 4.4 - 4.4 - V
高 水平的 输出
电压
ttl 负载
-4 4.5 3.98 - - 3.84 - 3.7 - V
低 水平的 输出
电压
cmos 负载
V
OL
V
IH
或者 V
IL
0.02 4.5 - - 0.1 - 0.1 - 0.1 V
低 水平的 输出
电压
ttl 负载
4 4.5 - - 0.26 - 0.33 - 0.4 V
输入 泄漏
电流
I
I
V
CC
和
地
0 5.5 - -
±
0.1 -
±
1-
±
1
µ
一个
安静的 设备
电流
I
CC
V
CC
或者
地
0 5.5 - - 8 - 80 - 160
µ
一个
三-状态 泄漏
电流
I
OZ
V
IL
或者 V
IH
V
O
=
V
CC
或者
地
5.5 - -
±
0.5 -
±
5-
±
10
µ
一个
额外的 安静的
设备 电流 每
输入 管脚: 1 单位 加载
∆
I
CC
(便条 2)
V
CC
-2.1
- 4.5 至
5.5
- 100 360 - 450 - 490
µ
一个
便条:
2. 为 双-供应 系统 theoretical worst 情况 (v
I
= 2.4v, v
CC
= 5.5v) 规格 是 1.8ma.
直流 电的 specifications
(持续)
参数 标识
测试
情况
V
CC
(v)
25
o
C -40
o
c 至 85
o
C -55
o
C 至 125
o
C
UNITSV
I
(v) I
O
(毫安) 最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
hct 输入 加载 表格
输入 单位 负载
OE 0.75
si, 所以 0.4
Dn 0.3
MR 1.5
便条: 单位 加载 是
∆
I
CC
限制 specified 在 直流 电的 表格, e.g.,
360
µ
一个 最大值 在 25
o
c.
cd54hc40105, cd74hc40105, cd54hct40105, cd74hct40105
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