IRS20124S(pbf)
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标识 定义 最小值 最大值 单位
V
B
高 一侧 floating 供应 电压 -0.3 220 V
V
s
高 一侧 floating 供应 电压 vb-20 vb+0.3 V
V
HO
高 一侧 floating 输出 电压 vs-0.3 vb+0.3 V
V
CC
低 一侧 fixed 供应 电压 -0.3 20 V
V
LO
低 一侧 输出 电压 -0.3 vcc+0.3 V
V
在
输入 电压 -0.3 vcc+0.3 V
V
OC
oc 管脚 输入 电压 -0.3 vcc+0.3 V
V
OCSET1
ocset1 管脚 输入 电压 -0.3 vcc+0.3 V
V
OCSET2
ocset2 管脚 输入 电压 -0.3 vcc+0.3 V
dvs/dt 容许的 vs 电压 回转 比率 - 50 v/ns
Pd 最大 电源 消耗 - 1.25 W
Rth
JA
热的 阻抗, 接合面 至包围的 - 100 °c/w
T
J
接合面 温度 - 150
°
C
T
S
存储 温度 -55 150
°
C
T
L
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) - 300
°
C
绝对 最大 比率
绝对 最大 比率 表明 sustained 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 所有 电压 参数
是 绝对 电压 关联 至 com. 所有 电流 是 定义 积极的 在 任何 含铅的. 这 热的 阻抗 和 电源
消耗 比率 是 量过的 下面 板 挂载 和 安静的 空气 情况.
描述
这 irs20124s 是 一个 高 电压, 高 速 电源 场效应晶体管 驱动器 和 内部的 dead-时间 和 关闭
功能 specially 设计 为 类 d 音频的 放大器 产品.
这 内部的 dead 时间 一代 块 提供 精确 门 转变 定时 和 使能 tight dead-时间
settings 为 更好的 thd performances.
在 顺序 至 maximize 其它 音频的 效能 特性, 所有 切换 时间 是 设计 为 免除
从 外部 干扰 此类 作 vcc perturbation 和 新当选的 切换 噪音 在 这 dt 管脚. 逻辑
输入 是 兼容 和 lsttl 输出 或者 标准 cmos 向下 至 3.0v 没有 速 降级. 这
输出 驱动器 特性 高 电流 缓存区 有能力 的 sourcing 1.0a 和 sinking 1.2a. 内部的 延迟 是
优化 至 达到 minimal dead-时间 变化. 专卖的 hvic 和 获得 不受影响 cmos 科技
保证 运作 向下 至 vs= –4v, 供应 优秀的 能力 的 获得 和 surge immunities 和
坚毅的 大而单一的 构建.
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