IS41C16100
IS41LV16100
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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7
rev. I
04/16/03
ISSI
®
交流 特性
(1,2,3,4,5,6)
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出.)
-50 -60
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 84 — 104 — ns
t
RAC
进入 时间 从
RAS
(6, 7)
—50 —60 ns
t
CAC
进入 时间 从
CAS
(6, 8, 15)
—13 —15 ns
t
AA
进入 时间 从 column-地址
(6)
—25 —30 ns
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度 50 10K 60 10K ns
t
RP
RAS
precharge 时间 30 — 40 — ns
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度
(26)
8 10K 10 10K ns
t
CP
CAS
precharge 时间
(9, 25)
9— 9— ns
t
CSH
CAS
支撑 时间
(21)
38 — 40 — ns
t
RCD
RAS
至
CAS
延迟 时间
(10, 20)
12 37 14 45 ns
t
ASR
行-地址 建制 时间 0 — 0 — ns
t
RAH
行-地址 支撑 时间 8 — 10 — ns
t
ASC
column-地址 建制 时间
(20)
0— 0— ns
t
CAH
column-地址 支撑 时间
(20)
8— 10— ns
t
AR
column-地址 支撑 时间 30 — 40 — ns
(关联 至
RAS
)
t
RAD
RAS
至 column-地址 延迟 时间
(11)
10 25 12 30 ns
t
RAL
column-地址 至
RAS
含铅的 时间 25 — 30 — ns
t
RPC
RAS
至
CAS
precharge 时间 5 — 5 — ns
t
RSH
RAS
支撑 时间
(27)
8— 10— ns
t
RHCP
RAS
支撑 时间 从
CAS
Precharge 37 — 37 — ns
t
CLZ
CAS
至 输出 在 低-z
(15, 29)
0— 0— ns
t
CRP
CAS
至
RAS
precharge 时间
(21)
5— 5— ns
t
OD
输出 使不能运转 时间
(19, 28, 29)
315 315 ns
t
OE
输出 使能 时间
(15, 16)
—13 —15 ns
t
OED
输出 使能 数据 延迟 (写) 20 — 20 — ns
t
OEHC
OE
高 支撑 时间 从
CAS
高 5 — 5 — ns
t
OEP
OE
高 脉冲波 宽度 10 — 10 — ns
t
OES
OE
低 至
CAS
高 建制 时间 5 — 5 — ns
t
RCS
读 command 建制 时间
(17, 20)
0— 0— ns
t
RRH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — ns
(关联 至
RAS
)
(12)
t
RCH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — ns
(关联 至
CAS
)
(12, 17, 21)
t
WCH
写 command 支撑 时间
(17, 27)
8— 10— ns
t
WCR
写 command 支撑 时间 40 — 50 — ns
(关联 至
RAS
)
(17)
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