MIC5020 Micrel
5-166 october 1998
源 一侧 感觉到 是 提供 用 进入 至 两个都
SENSE
+
和
SENSE
– 比较器 输入.
这 可调整的 retry 特性 能 是 使用 至 handle 负载 和
高 最初的 电流, 此类 作 lamps, 发动机, 或者 加热
elements 和 能 是 调整 从 这 c
T
连接.
C
T
至 地面 导致 maintained 门 驱动 关闭 下列-
ing overcurrent 发现.
C
T
打开, 或者 通过 一个 电容 至 地面, 导致 自动
retry . 这 default 职责 循环 (c
T
打开) 是 大概 20%.
谈及 至 这 电的 特性 当 selecting 一个 ca-
pacitor 为 一个 减少 职责 循环.
C
T
通过 一个 拉-向上 电阻 至 v
DD
增加 这 职责 循环.
增加 这 职责 循环 增加 这 电源 消耗 在
这 加载 和 场效应晶体管.
电路 将 变为 unstable 在 一个
职责 循环 的 关于 75% 或者 高等级的, 取决于 在 这
情况.
提醒: 这 mic5020 将 是 损坏 如果 这
电压 在 c
T
超过 这 绝对 最大 比率.
一个 overcurrent 情况 是 externally signaled 用 一个 打开
集电级 (
故障
) 输出.
这 mic5020 将 是 使用 没有 电流 感觉到 用
连接
SENSE
+ 和
SENSE
– 至 地面.
电流 sense 电阻器
含铅的 长度 能 是 重大的 当 使用 低 值 (< 1
Ω
)
电阻器 为 电流 感觉到. errors 造成 用 含铅的 长度
能 是 避免 用 使用 四-终端 电流 感觉到 resis-
tors. 四-终端 电阻器 是 有 从 一些
manufacturers.
产品 信息
这 mic5020 场效应晶体管 驱动器 是 将 为 低-一侧 转变-
ing 产品 在哪里 高等级的 供应 电压, overcurrent
感觉到, 和 moderate 速 是 必需的.
供应 电压
一个 特性 的 这 mic5020 是 那 它的 供应 电压 比率 的 向上
至 50v 是 高等级的 比 许多 其它 低-一侧 驱动器.
这 最小 供应 电压 必需的 至 全部地 增强 一个 n-
频道 场效应晶体管 是 11v.
一个 更小的 供应 电压 将 是 使用 和 逻辑 水平的 mosfets.
大概 6v 是 需要 至 提供 5v 的 门 增强-
ment.
低-一侧 转变 电路 有利因素
一个 moderate-速 低-一侧 驱动器 是 一般地 更 faster
比 一个 comparable 高-一侧 驱动器. 这 mic5020 能
提供 这 门 驱动 切换 时间 和 低 传播
延迟 时间 那 是 需要 为 高-频率 高-
效率 电路 运作 在 pwm (脉冲波 宽度 调制)
设计 使用 为 发动机 控制, smps (转变 模式 电源
供应) 和 加热 元素 控制. 切换 负载 (开关)
能 益处 从 这 mic5020’s 快 切换 时间 用
准许 使用 的 mosfets 和 小 safe 运行 areas.
(大 mosfets 是 常常 必需的 当 使用 slower
驱动器.)
overcurrent 限制的
一个 50mv 比较器 是 提供 为 电流 感觉到. 这 低
水平的 trip 要点 降低 i
2
r losses 当 电源 电阻器 是
使用 为 电流 感觉到. flexibility 在 choosing 流 或者
函数的 描述
谈及 至 这 mic5020 块 图解.
输入
一个 信号 更好 比 1.4v (名义上的) 应用 至 这 mic5020
输入
导致 门 增强 在 一个 外部 场效应晶体管
turning 这 外部 场效应晶体管 在.
一个 内部的 拉-向下 电阻 insures 那 一个 打开
输入
仍然是 低, keeping 这 外部 场效应晶体管 转变 止.
门 输出
迅速 上升 和 下降 时间 在 这
门
输出 是 可能
因为 各自 输入 状态 改变 triggers 一个 一个-shot 这个
activates 一个 高-值 电流 下沉 (10i
2
) 为 一个 短的 时间. 这个
牵引 一个 高 电流 通过 一个 电流 mirror 电路 造成
这 输出 晶体管 至 quickly 承担 或者 释放 这
外部 场效应晶体管’s 门.
一个 第二 电流 下沉 continuously 牵引 这 更小的 值 的
电流 使用 至 维持 这 门 电压 为 这 选择
状态.
一个 内部的 15v 齐纳 二极管 保护 这 外部 场效应晶体管
用 限制的 这 门 输出 电压 当 v
DD
是 连接 至
高等级的 电压.
overcurrent 限制的
电流 源 i
1
charges c
INT
在之上 电源 向上. 一个 optional
外部 电容 连接 至 c
T
是 释放 通过
场效应晶体管 q1.
一个 故障 情况 (> 50mv 从
SENSE
+ 至
SENSE
–) 导致
这 overcurrent 比较器 至 使能 电流 下沉 2i
1
这个
克服 电流 源 i
1
至 释放 c
INT
在 一个 短的 时间.
当 c
INT
是 释放, 这
输入
是 无能, 这个 转变
止 这
门
输出; 这
故障
输出 是 使能; 和 c
INT
和 c
T
是 准备好 至 是 charged.
当 这
门
输出 转变 这 场效应晶体管 止, 这 overcurrent
信号 是 移除 从 这 sense 输入 这个 deactivates
电流 下沉 2i
1
. 这个 准许 c
INT
和 这 optional 电容
连接 至 c
T
至 recharge. 一个 施密特 触发 延迟 这
retry 当 这 电容(s) recharge. retry 延迟 是 在-
creased 用 连接 一个 电容 至 c
T
(optional).
这 retry 循环 将 continue 直到 这 这 故障 是 移除 或者
这 输入 是 changed 至 ttl 低.
如果 c
T
是 连接 至 地面, 这 电路 将 不 retry 在之上 一个
故障 情况.
故障 输出
这
故障
输出 是 一个 打开 集电级 晶体管.
故障
是
起作用的 在 大概 这 一样 时间 这 输出 是 无能
用 一个 故障 情况 (5
µ
s 之后 一个 overcurrent 情况 是
sensed). 这
故障
输出 是 打开 电路 (止) 在 各自
successive retry (5
µ
s).
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