MIC5020 Micrel
october 1998 5-167
5
lamp 驱动器 应用
incandescent lamps 有 一个 高 inrush 电流 (低 resis-
tance) 当 转变 在. 这 mic5020 能 执行 一个 “soft
start” 用 pulsing 这 场效应晶体管 (overcurrent 情况) 直到
这 filament 是 warm 足够的 为 它的 电流 至 decrease
(阻抗 增加). 这 sense 电阻 是 选择 所以 这
电压 横过 这 sense 电阻 drops 在下 这 sense
门槛 (50mv) 作 这 filament 变为 warm. 这
场效应晶体管 是 非 变长 搏动 至 限制 电流 和 这 lamp
转变 完全地 在.
V
DD
输入
故障
C
T
门
Sense
−
Sense
+
地
ttl 输入
(0v/5v)
R
SENSE
(0.041
Ω
)
n-频道
电源 场效应晶体管
(irf540)
V+
MIC5020
1
2
3
4
8
7
6
5
10µF
Incandescent
lamp (#1157)
(+11v 至 +12v)
“( )” 值 应用 至
demo 电路. 看 text.
图示 1. lamp 驱动器 和
电流 感觉到
一个 lamp 将 不 全部地 转变 在 如果 这 filament 做 不 热温 向上
adequately. changing 这 职责 循环, sense 电阻, 或者 两个都
至 相一致 这 filament 特性 能 准确无误的 这 问题.
软 开始 能 是 demonstrated 使用 一个 #1157 双-filament
automotive lamp. 这 值 的 r
S
显示 在 图示 1 准许 为
软 开始 的 这 高等级的-阻抗 filament (measures approx.
2.1
Ω
cold 或者 21
Ω
hot).
solenoid 驱动器 应用
这 mic5020 能 是 直接地 powered 用 这 控制 电压
供应 在 典型 11vdc 通过 50vdc 控制 产品.
电流 感觉到 有 被 omitted 作 一个 例子.
V
DD
输入
故障
C
T
门
Sense
−
Sense
+
地
ttl 输入
n-频道
电源 场效应晶体管
V+
MIC5020
1
2
3
4
8
7
6
5
10µF
二极管
Solenoid
+11v 至 +50v
图示 2. solenoid 驱动器,
没有 电流 感觉到
一个 二极管 横过 这 加载 保护 这 场效应晶体管 从 这
电压 尖刺 发生 用 这 inductive 加载 在之上 场效应晶体管
转变 止. 这 顶峰 向前 电流 比率 的 这 二极管 应当
是 更好 比 这 加载 电流.
电流 感觉到 场效应晶体管 应用
一个 电流 感觉到 场效应晶体管 准许 电流 感觉到 没有
adding 额外的 阻抗 至 这 电源 切换 电路.
一个 电流 感觉到 场效应晶体管 有 二 源 连接: 一个
“power source” 为 电源 切换 和 一个 “current source” 为
电流 感觉到. 这 电流 从 这 电流 源 是
大概 均衡的 至 这 电流 通过 这 电源
源, 但是 更 小. 一个 电流 感觉到 比率 (i
源
/
I
SENSE
) 是 提供 用 这 场效应晶体管 生产者.
V
DD
输入
故障
C
T
门
Sense
−
Sense
+
地
ttl 输入
(0v/5v)
n-频道
电流 感觉到
电源 场效应晶体管
V+
MIC5020
1
2
3
4
8
7
6
5
10µF
加载
R
SENSE
(10
Ω
)
+11v 至 +50v
(+13.2v)
(+13.2v, > 4.4a)
(ircz24)
(3
Ω
, > 60w)
“( )” 值 应用 至
demo 电路. 看 text.
图示 3. 使用 一个 电流 感觉到 场效应晶体管
这 场效应晶体管 电流 源 是 使用 至 开发 一个 电压
横过 一个 sense 电阻. 这个 电压 是 监控 用 这
mic5020 (
SENSE
+ 和
SENSE
– 管脚) 至 identify 一个 overcur-
rent 情况.
这 值 的 这 sense 电阻 能 是 estimated 和:
R
SENSE
= (r v
TRIP
R
ds(在)
) / (i
加载
R
ds(在)
– v
TRIP
)
在哪里:
R
SENSE
= 外部 “sense” 电阻
V
TRIP
= 50mv (0.050v) 为 这 mic5020
r = 生产者’s 电流 sense 比率: (i
源
/i
SENSE
)
R
ds(在)
= 生产者’s 电源 源 在 阻抗
I
加载
= 加载 电流 (电源 源 电流)
这 流 至 源 电压 下面 不同的 故障 情况
affects 这 行为 的 这 场效应晶体管 电流 源; 那 是,
这 电流 源 将 respond differently 至 一个 slight 在-
电流 情况 (v
ds(在)
非常 小) 比 至 一个 短的 电路
(在哪里 v
ds(在)
是 大概 equal 至 这 供应 电压).
调整 的 这 sense 电阻 值 用 experiment 开始
从 这 在之上 formula 将 提供 这 quickest 选择 的
R
SENSE
.
谈及 至 制造’s 数据 薄板 和 应用 注释 为
详细地 信息 在 电流 感觉到 场效应晶体管 character-
istics.
图示 3 包含 值 这个 能 是 使用 至 demonstrate
电路 运作. 这 ircz24 场效应晶体管 有 一个 典型 sense
比率 的 780 和 一个 r
ds(在)
的 0.10
Ω
. 一个 大 3
Ω
wirewound
加载 电阻 将 导致 inductive 尖刺 这个 应当 是
suppressed 使用 一个 二极管 (使用 这 一样 配置 作
图示 2).
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