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资料编号:778357
 
资料名称:SI4953ADY
 
文件大小: 65K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4953ADY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71091
s-015393—rev. b, 17-jul-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
  
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
300
600
900
1200
1500
0 6 12 18 24 30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
0 4 8 12 16 20
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0 6 12 18 24 30
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 4.9 一个
I
D
– 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 4.9 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
c – 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0246810
I
D
= 4.9 一个
30
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
V
GS
= 4.5 v
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
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