Si4953ADY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71091
s-015393—rev. b, 17-jul-00
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2-1
双 p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–30
0.053 @ v
GS
= –10 v
–4.9
–30
0.090 @ v
GS
= –4.5 v –3.7
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
p-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
–30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
–4.9
–3.7
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
–3.9 –2.9
一个
搏动 流 电流 I
DM
–30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–1.7 –0.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.1
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10 秒
R
thJA
52 62.5
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
32 40
注释
一个. 表面 挂载 在 1 ” x 1” fr4 板.