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晶体管 2SC1980
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
nv — i
C
0 20016040 12080
0
500
400
300
200
100
450
350
250
150
50
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
012108264
0
24
20
16
12
8
4
Ta=25˚C
45
µ
一个
10
µ
一个
15
µ
一个
25
µ
一个
30
µ
一个
35
µ
一个
40
µ
一个
5
µ
一个
20
µ
一个
I
B
=50
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
02.01.60.4 1.20.8
0
60
50
40
30
20
10
V
CE
=10V
Ta=75˚C –25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
800
600
200
500
700
400
100
300
V
CB
=5V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
0.01 0.03 0.1 0.3 1
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
4.7k
Ω
R
g
=100k
Ω
22k
Ω
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
噪音 电压 nv
(
mV
)
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