1
晶体管
2SC1980
硅 npn 外延的 planer 类型
为 高 损坏 电压 低-噪音 放大器
complementary 至 2sa921
■
特性
●
高 集电级 至 发射级 电压 v
CEO
.
●
低 噪音 电压 nv.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:发射级
2:集电级
3:根基
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
120
120
7
50
20
250
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
毫安
mW
˚C
˚C
*
h
FE
分级 分类
分级 R S T
h
FE
180 ~ 360 260 ~ 520 360 ~ 700
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
噪音 电压
标识
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
V
ce(sat)
f
T
NV
情况
V
CB
= 50
V
, i
E
= 0
V
CE
= 50v, i
B
= 0
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 1ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 5v, i
C
= 2ma
I
C
= 20ma, i
B
= 2ma
V
CB
= 5v, i
E
= –2ma, f = 200mhz
V
CE
= 40v, i
C
= 1ma, g
V
= 80db
R
g
= 100k
Ω
, 函数 = flat
最小值
120
120
7
180
典型值
200
最大值
0.1
1
700
0.6
150
单位
µ
一个
µ
一个
V
V
V
V
MHz
mV
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