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资料编号:803411
 
资料名称:ADG621BRM
 
文件大小: 141K
   
说明
 
介绍:
CMOS +-5 V/ +5V 4 OHM DUAL SPST SWITCHES
 
 


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rev. 0
adg621/adg622/adg623
–5–
TERMINOLOGY
V
DD
大多数 积极的 电源 供应 潜在的.
V
SS
大多数 负的 电源 供应 在 一个 双 供应 应用. 在 单独的 供应 产品, 这个 应当 是 系
至 地面 在 这 设备.
地面 (0 v) 涉及
I
DD
积极的 供应 电流
I
SS
负的 供应 电流
S 源 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
D 流 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
逻辑 控制 输入
R
ohmic 阻抗 在 d 和 s.
R
在 阻抗 相一致 在 任何 二 途径 i.e., r
最大值
R
最小值
R
flat(在)
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这 最大 和 最小 值 的 在 阻抗 作 量过的
在 这 指定 相似物 信号 范围.
I
S
(止) 源 泄漏 电流 和 这 转变
止.
I
D
(止) 流 泄漏 电流 和 这 转变
止.
I
D
, i
S
(在) 频道 泄漏 电流 和 这 转变
在.
V
D
(v
S
) 相似物 电压 在 terminals d, s.
V
INL
最大 输入 电压 为 逻辑
0.
V
INH
最小 输入 电压 为 逻辑
1.
I
INL
(i
INH
) 输入 电流 的 这 数字的 输入
C
S
(止)
转变 源 电容
C
D
(止)
转变 流 电容
C
D
, c
S
(在)
转变 电容
t
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入 和 这 输出 切换 在.
t
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入 和 这 输出 切换 止.
t
BBM
时间 或者
时间 量过的 在 这 90% 点 的 两个都 switches, 当 切换 从 一个
地址 状态 至 另一.
承担 injection 一个 measure 的 这 glitch impulse transfered 从 这 数字的 输入 至 这 相似物 输出 在 切换.
串扰 一个measure 的 unwanted 信号 那 是结合 通过 从 一个 频道 至 另一 作 一个 结果 的 parasitic
电容.
止 分开 一个measure 的 unwanted 信号 连接通过 一个
转变.
带宽 这 频率 回馈 的 这
转变.
嵌入 丧失 这 丧失 预定的 至 这 在 阻抗 的 这 转变.
管脚 配置
10-含铅的
SOIC
(rm-10)
顶 视图
(不 至 规模)
10
9
8
7
6
1
2
3
4
5
nc = 非 连接
D1
S1
S2
IN1
V
DD
adg621/
adg622/
ADG623
V
SS
NC
D2
IN2
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