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资料编号:803411
 
资料名称:ADG621BRM
 
文件大小: 141K
   
说明
 
介绍:
CMOS +-5 V/ +5V 4 OHM DUAL SPST SWITCHES
 
 


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rev. 0
adg621/adg622/adg623
–6–
在 阻抗 –
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
D
, v
S
– v
–5–4–3–2–10123 54
V
DD
, v
SS
=
2.5v
T
一个
= 25
C
V
DD
, v
SS
=
3V
V
DD
, v
SS
=
3.3v
V
DD
, v
SS
=
4.5v
V
DD
, v
SS
=
5V
tpc 1. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
). (双 供应)
V
DD
= 2.7v
V
DD
= 3v
V
DD
= 3.3v
V
DD
= 4.5v
V
DD
= 5v
T
一个
= 25
C
V
SS
= 0v
V
D
, v
S
V
在 阻抗
20
0
16
12
8
4
12345
0
tpc 2. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
). (单独的 供应)
V
D
, v
S
V
在 阻抗
6
5
5
4
3
2
1
0
3
11 53
4
2024
V
DD
= +5v
V
SS
=
5V
T
一个
= +85
C
T
一个
= +25
C
T
一个
=
40
C
tpc 3. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
) 为 不同的
温度. (双 供应)
典型 效能 特性
V
D
, v
S
V
在 阻抗
10
0
8
6
4
2
0
123 54
9
7
5
3
1
T
一个
= +85
C
T
一个
= +25
C
T
一个
=
40
C
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
tpc 4. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
) 为 不同的
温度. (单独的 供应)
温度
C
泄漏 电流
nA
0 1020304050
60
70 80
0.5
0.5
0.2
0.4
0.3
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
D
(止)
I
D
, i
S
(在)
I
S
(止)
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
V
D
=
4.5v
V
S
=
4.5v
tpc 5. 泄漏 电流 vs. 温度. (双 供应)
I
D
(止)
I
D
, i
S
(在)
I
S
(止)
温度
C
泄漏 电流
nA
0 1020304050607080
0.5
0.5
0.2
0.4
0.3
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
V
D
= 4.5v/1v
V
S
= 1v/4.5v
tpc 6. 泄漏 电流 vs. 温度. (单独的 供应)
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