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82527
AC 特性 为 8-位 多路复用 非-intel 模式 (模式 2)
Conditions V
CC
e
5V
g
10% V
SS
e
0V T
一个
eb
40

Cto
一个
125

C C
L
e
100 pF
标识 参数 最小值 最大值
1t
XTAL
振荡器 频率 8 MHz 16 MHz
1t
SCLK
系统 时钟 频率 4 MHz 10 MHz
1t
MCLK
记忆 时钟 频率 2 MHz 8 MHz
t
AVSL
地址 有效的 至 作 低 75 ns
t
SLAX
地址 支撑 之后 作 低 10 ns
t
ELDZ
数据 Float 之后 E 低 0 ns 45 ns
t
EHDV
E 高 至 数据 有效的 为 寄存器 02H 0 ns 45 ns
04H 05H
为 读 循环 没有 一个 Previous 写
(1)
15 t
MCLK
一个
100 ns
为 读 循环 和 一个 Previous 写 35 t
MCLK
一个
100 ns
(为 寄存器 除了 为 02H 04H 05h)
t
QVEL
数据 建制 至 E 低 30 ns
t
ELQX
输入 数据 支撑 之后 E 低 20 ns
t
ELDV
E 低 至 输出 数据 有效的 在 端口 12 t
MCLK
2t
MCLK
一个
500 ns
t
EHEL
E 高 时间 45 ns
t
ELEL
终止 的 Previous 写 (last E 低) 至 E 2 t
MCLK
低 为 一个 写 循环
t
SHSL
作 高 时间 30 ns
t
RSEH
建制 时间 的 RW

至 E 高 30 ns
t
SLEH
作 低 至 E 高 20 ns
t
CLSL
CS

低 至 作 低 20 ns
t
ELCH
E 低 至 CS

高 0 ns
t
COPD
CLKOUT 时期 (cd
V
一个
1)

t
OSC
(3)
t
CHCL
CLKOUT 高 时期 (cd
V
一个
1)


t
OSC
b
10 (cd
V
一个
1)


t
OSC
一个
15
NOTES
1 定义 的 ‘‘Read 循环 没有 一个 Previous Write’’ 这 时间 在 这 下落 边缘 的 E (为 这 previous 写 循环)
和 这 rising 边缘 的 E (为 这 电流 读 循环) 是 更好 比 2 t
MCLK

2 定义 的 ‘‘Write 循环 和 一个 Previous Write’’ 这 时间 在 这 下落 边缘 的 E (为 这 previous 写 循环) 和
这 下落 边缘 的 E (为 这 电流 写 循环) 是 较少 比 2 t
MCLK

3 定义 的 CD
V
是 这 值 承载 在 这 CLKOUT 寄存器 representing 这 CLKOUT divisor
11

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82527 AC 特性为 8-位多路复用非-intel 模式 (模式 2) Conditions V CC e 5V g 10% V SS e 0V T 一个 eb 40  Cto 一个 125  C C L e 100 pF 标识参数最小值最大值 1t XTAL 振荡器频率 8 MHz 16 MHz 1t SCLK 系统时钟频率 4 MHz 10 MHz 1t MCLK 记忆时钟频率 2 MHz 8 MHz t AVSL 地址有效的至作低 75 ns t SLAX 地址支撑之后作低 10 ns t ELDZ 数据 Float 之后 E 低 0 ns 45 ns t EHDV E 高至数据有效的为寄存器 02H 0 ns 45 ns 04H 05H 为读循环没有一个 Previous 写 (1) 15 t MCLK 一个 100 ns 为读循环和一个 Previous 写 35 t MCLK 一个 100 ns (为寄存器除了为 02H 04H 05h) t QVEL 数据建制至 E 低 30 ns t ELQX 输入数据支撑之后 E 低 20 ns t ELDV E 低至输出数据有效的在端口 12 t MCLK 2t MCLK 一个 500 ns t EHEL E 高时间 45 ns t ELEL 终止的 Previous 写 (last E 低) 至 E 2 t MCLK 低为一个写循环 t SHSL 作高时间 30 ns t RSEH 建制时间的 RW  至 E 高 30 ns t SLEH 作低至 E 高 20 ns t CLSL CS  低至作低 20 ns t ELCH E 低至 CS  高 0 ns t COPD CLKOUT 时期 (cd V 一个 1)  t OSC (3) t CHCL CLKOUT 高时期 (cd V 一个 1)   t OSC b 10 (cd V 一个 1)   t OSC 一个 15 NOTES 1 定义的 ‘‘Read 循环没有一个 Previous Write’’ 这时间在这下落边缘的 E (为这 previous 写循环) 和这 rising 边缘的 E (为这电流读循环) 是更好比 2 t MCLK  2 定义的 ‘‘Write 循环和一个 Previous Write’’ 这时间在这下落边缘的 E (为这 previous 写循环) 和这下落边缘的 E (为这电流写循环) 是较少比 2 t MCLK  3 定义的 CD V 是这值承载在这 CLKOUT 寄存器 representing 这 CLKOUT divisor 11

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