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资料编号:810692
 
资料名称:BS62LV4006SIP70
 
文件大小: 374K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
修订 1.1
jan. 2004
3
r0201-bs62lv4006
1. 典型 特性 是 在 t
一个
= 25
o
c. 2. fmax = 1/t
RC
.
3. 这些 是 绝对 值 和 遵守 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者 tester 注意 是 包含.
4. i
cc
sb1_最大值.
是 5ua/30ua 在 vcc=3.0v/5.0v 和 t
一个
=70
o
c. 5. icc_
最大值
是 30ma(@3.0v)/70ma(@5.0v) 下面 55ns 运作.
数据 保持 特性
( ta = -40 至 + 85
o
c )
1. vcc = 1.5v, T
一个
= + 25
O
C
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. i
cc
DR
_
最大值
是 0.8ua 在 t
一个
=70
O
c.
直流 电的 特性
( ta = -40 至 + 85
o
c )
BSI
低 v
CC
数据 保持 波形
( ce 控制 )
CE
数据 保持 模式
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IH
V
IH
Vcc
V
DR
1.5v
ce vcc - 0.2v
BS62LV4006
标识 PARAMETER 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
vcc 为 数据 保持
CE
vcc - 0.2v
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
1.5 -- -- V
I
CCDR
数据 保持 电流
CE
vcc - 0.2v
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
-- 0.3 1.3 uA
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
0 -- -- ns
t
R
运作 恢复 时间
看 保持 波形
T
RC
(2)
-- -- ns
参数
名字
参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值
单位
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(3)
-0.5 --
0.8
V
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(3)
2.2
-- vcc+0.3 V
I
IL
输入 泄漏 电流 Vcc = 最大值, v
= 0v 至 vcc -- -- 1 uA
I
LO
输出 泄漏 电流
Vcc = 最大值, ce = v
IH
, 或者 oe = v
IH
,
V
i/o
= 0v 至 vcc
-- -- 1 uA
V
OL
输出 低 电压 -- -- V
V
OH
输出 高 电压
Vcc = 最小值, i
OH
= -1.0ma
-- -- V
I
CC
运行 电源 供应
电流
ce = v
IL
, i
DQ
= 0ma,
F=Fmax
(2)
-- --
25
毫安
I
CCSB
备用物品 电流-ttl
ce = v
IH
, i
DQ
= 0ma -- --
1.0
毫安
I
CCSB1
CE
vcc-0.2v,
V
Vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
--
0.45
60
uA
vcc = 3.0 v
vcc = 3.0 v
vcc = 5.0 v
vcc = 5.0 v
vcc = 5.0 v
vcc = 3.0 v
vcc = 3.0 v
备用物品 电流-cmos
vcc = 5.0 v
vcc = 5.0 v
vcc = 3.0 v
10
60
vcc = 5.0 v
vcc = 5.0 v
vcc = 3.0 v
vcc = 3.0 v
0.8
2.0
2.4
0.4
0.5
2.0
2.4
0.4
Vcc = 最大值, i
OL
= 2.0ma
(5)
(4)
70ns
70ns
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