飞利浦 半导体
buk7520-55a; buk7620-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 规格 rev. 01 — 18 january 2001 3 的 15
9397 750 07751
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V
GS
≥
4.5 V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
T
mb
=25
°
c; i
DM
单独的 脉冲波.
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175 200
P
der
(%)
T
mb
(
o
c)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175 200
I
der
(%)
T
mb
(
o
c)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25C
°
()
-------------------
100
%
×
=
03nc66
1
10
10
2
10
3
1 10
10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
d.c.
100 ms
10 ms
R
DSon
= v
DS
/ i
D
1 ms
t
p
= 10 美国
100 美国
t
p
t
p
T
P
t
T
δ
=
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