飞利浦 半导体
buk7520-55a; buk7620-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 规格 rev. 01 — 18 january 2001 5 的 15
9397 750 07751
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏
电压
I
D
= 0.25 毫安; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C55
−−
V
T
j
=
−
55
°
C50
−−
V
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
;
图示 9
T
j
=25
°
C234V
T
j
= 175
°
C1
−−
V
T
j
=
−
55
°
C
−−
4.4 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 55 v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C
−
0.05 10
µ
一个
T
j
= 175
°
C
−−
500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0V
−
2 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
=10v; i
D
=25a;
图示 7 和 8
T
j
=25
°
C
−
17 20 m
Ω
T
j
= 175
°
C
−−
40 m
Ω
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
=25v;
f = 1 mhz; 图示 12
−
1200 1592 pF
C
oss
输出 电容
−
290 356 pF
C
rss
反转 转移 电容
−
179 240 pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; r
L
= 1.2
Ω
;
V
GS
=10v; r
G
=10
Ω
;
−
15
−
ns
t
r
上升 时间
−
74
−
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
−
70
−
ns
t
f
下降 时间
−
40
−
ns
L
d
内部的 流 电感 从 流 含铅的 6mm 从
包装 至 centre 的 消逝
−
4.5
−
nH
从 联系 screw 在
挂载 根基 至 centre 的
消逝 sot78
−
3.5
−
nH
从 upper 边缘 的 流
挂载 根基 至 centre 的
消逝 sot404
−
2.5
−
nH
L
s
内部的 源 电感 从 源 含铅的 至 源
bond 垫子
−
7.5
−
nH