CNY17-3S_集成电路资料查询网

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cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 rev. 1.0.2
cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4  phototransistor optocouplers
分开 特性
便条
*  5300 vac(rms) 为 1 分钟 equates 至 大概 9000 vac (pk) 为 1 第二
** 典型 值 在 t
一个
= 25°c
典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
输入-输出 分开 电压 f = 60 hz, t = 1 最小值 V
ISO
黑色 包装 5300 vac(rms)*
‘-m’ 白 包装 7500 vac(pk)
分开 阻抗 V
i-o
= 500 vdc R
ISO
所有 1011
Ω
分开 电容 V
i-o
= Ø, f = 1 mhz C
ISO
黑色 包装 0.5 pF
‘-m’ 白 包装 0.2
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 speciﬁed.)
直流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
电流 转移 比率,
集电级 至 发射级
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 5 v CTR cny17-1/-1-m 40 80 %
cny17-2/-2-m 63 125
cny17-3/-3-m 100 200
cny17-4 160 320
饱和 电压 I
F
= 10 毫安, i
C
= 2.5 毫安 V
ce(sat)
所有 .40 V
交流特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
非-saturated 切换 时间
Tur n-在 时间 (图.19 和 图.20) R
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v t
在
非 -m 10 µs
Tur n-止 时间 (图.19 和 图.20) R
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v t
止
非 -m 10 µs
延迟 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 75
Ω
t
d
-m 5.6 µs
上升 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 75
Ω
t
r
-m 4.0 µs
存储 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 75
Ω
t
s
-m 4.1 µs
下降 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 75
Ω
t
f
-m 3.5 µs
saturated 切换 时间
Tur n-在 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v t
在
cny17-1  5.5 µs
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v cny17-2,
cny17-3,
cny17-4
8.0
上升-时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v t
r
cny17-1 4.0 µs
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v cny17-2,
cny17-3,
cny17-4
6.0
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 1 k
Ω
cny17-1-m 4.0
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 1 k
Ω
cny17-2-m,
cny17-3-m
6.0
延迟 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
=1 k
Ω
t
d
cny17-1-m 5.5 µs
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
=1 k
Ω
cny17-2,
cny17-3
8.0
Tur n-止 时间 (图.19 和 图.20) I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v t
止
cny17-1 34.0 ms
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v cny17-2,
cny17-3,
cny17-4
39.0

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3 www.fairchildsemi.com cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 rev. 1.0.2 cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 phototransistor optocouplers 分开特性便条 * 5300 vac(rms) 为 1 分钟 equates 至大概 9000 vac (pk) 为 1 第二典型值在 t 一个 = 25°c 典型的测试情况标识设备最小值 Typ 最大值单位输入-输出分开电压 f = 60 hz, t = 1 最小值 V ISO 黑色包装 5300 vac(rms)* ‘-m’ 白包装 7500 vac(pk) 分开阻抗 V i-o = 500 vdc R ISO 所有 1011 Ω 分开电容 V i-o = Ø, f = 1 mhz C ISO 黑色包装 0.5 pF ‘-m’ 白包装 0.2 转移特性 (t 一个 = 25°c 除非否则 speciﬁed.) 直流特性测试情况标识设备最小值典型值最大值单位电流转移比率, 集电级至发射级 I F = 10 毫安, v CE = 5 v CTR cny17-1/-1-m 40 80 % cny17-2/-2-m 63 125 cny17-3/-3-m 100 200 cny17-4 160 320 饱和电压 I F = 10 毫安, i C = 2.5 毫安 V ce(sat) 所有 .40 V 交流特性测试情况标识设备最小值典型值最大值单位非-saturated 切换时间 Tur n-在时间 (图.19 和图.20) R L = 100 Ω , i C = 2 毫安, v CC = 10 v t 在非 -m 10 µs Tur n-止时间 (图.19 和图.20) R L = 100 Ω , i C = 2 毫安, v CC = 10 v t 止非 -m 10 µs 延迟时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 75 Ω t d -m 5.6 µs 上升时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 75 Ω t r -m 4.0 µs 存储时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 75 Ω t s -m 4.1 µs 下降时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 75 Ω t f -m 3.5 µs saturated 切换时间 Tur n-在时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v t 在 cny17-1 5.5 µs I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v cny17-2, cny17-3, cny17-4 8.0 上升-时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v t r cny17-1 4.0 µs I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v cny17-2, cny17-3, cny17-4 6.0 I F = 20 毫安, v CC = 5 v, r L = 1 k Ω cny17-1-m 4.0 I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 1 k Ω cny17-2-m, cny17-3-m 6.0 延迟时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CC = 5 v, r L =1 k Ω t d cny17-1-m 5.5 µs I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L =1 k Ω cny17-2, cny17-3 8.0 Tur n-止时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v t 止 cny17-1 34.0 ms I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v cny17-2, cny17-3, cny17-4 39.0

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