CNY17-3S_集成电路资料查询网

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cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 rev. 1.0.2
cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4  phototransistor optocouplers
下降-时间 (图. 19 和 图. 20) I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4v t
f
cny17-1 20.0 µs
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4v cny17-2,
cny17-3,
cny17-4
24.0
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5v, r
L
= 1k
Ω
cny17-1-m 20.0
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5v, r
L
= 1k
Ω
cny17-2-m,
cny17-3-m,
24.0
存储 时间 (图. 19 和 图.
20)
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5v, r
L
= 1k
Ω
t
s
cny17-1-m 34.0 µs
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5v, r
L
= 1k
Ω
cny17-2-m,
cny17-3-m,
39.0
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 speciﬁed.) (持续)
直流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位

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4 www.fairchildsemi.com cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 rev. 1.0.2 cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 phototransistor optocouplers 下降-时间 (图. 19 和图. 20) I F = 20 毫安, v CE = 0.4v t f cny17-1 20.0 µs I F = 10 毫安, v CE = 0.4v cny17-2, cny17-3, cny17-4 24.0 I F = 20 毫安, v CC = 5v, r L = 1k Ω cny17-1-m 20.0 I F = 10 毫安, v CC = 5v, r L = 1k Ω cny17-2-m, cny17-3-m, 24.0 存储时间 (图. 19 和图. 20) I F = 20 毫安, v CC = 5v, r L = 1k Ω t s cny17-1-m 34.0 µs I F = 10 毫安, v CC = 5v, r L = 1k Ω cny17-2-m, cny17-3-m, 39.0 转移特性 (t 一个 = 25°c 除非否则 speciﬁed.) (持续) 直流特性测试情况标识设备最小值典型值最大值单位

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