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资料编号:830070
 
资料名称:IRLL014N
 
文件大小: 158K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLL014N
www.irf.com 3
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 1.
典型 输出 特性,
图 2.
典型 输出 特性,
1
10
100
0.1 1 10 100
20µs 脉冲波 wIDTH
t =25°C
一个
J
DS
V, drain-至-source voltage (v)
3.0v
VGS
p 15v
10V
7.0v
5.5v
4.5v
4.0v
3.5v
bottom 3.0v
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
1
10
100
0.1 1 10 100
一个
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
20µs 脉冲波 w IDTH
t = 150°c
J
3.0v
VGS
顶 15v
10V
7.0v
5.5v
4.5v
4.0v
3.5v
bottom 3.0v
1
10
100
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
v , gate-至-所以urceVoltage (v)
D
i , drain-至-所以urceC urrent (一个)
一个
V= 25V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , junction temperature (°c)
R, dra在-至-s ourceO nRestance
ds(在)
(n orm 一个lized)
V= 10v
GS
一个
i =2.0一个
D
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