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资料编号：830070
 
资料名称：IRLL014N
 
文件大小： 158K
   
说明：
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLL014N
6 www.irf.com
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 12b.
unclamped inductive 波形
t
p
V
(br)dss
I
作
0
20
40
60
80
25 50 75 100 125 150
J
e , 单独的 脉冲波 avalanche energy (mj)
作
一个
开始t , 接合面 温度 (°C)
V=25V
I
至P1.8a
3.2一个
BOTTOM4.0a
DD
D
图 12a.
unclamped inductive 测试 电路
R
G
I
作
0.01
Ω
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
10V
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