首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置：首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号：83257
 
资料名称：TC55NEM216AFTN55
 
文件大小： 181.25K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


: 点此下载
  浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第5页
5 		浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第6页
6 		浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第7页
7 		浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第8页
8
9 		浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第10页
10 		浏览型号TC55NEM216AFTN55的Datasheet PDF文件第11页
11 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tc55nem216aftn55,70
2002-07-04 9/11
便条:
(1) 当
CE 是 运行 在 这 v
IH
(最小值.) 水平的(2.2 v), 这 运行 电流 是 给 用 i
DDS1
在 这
转变 的 v
DD
从 4.5 至 2.4 v.
(2) 在UB (或者 LB ) 控制 数据 保持 模式, 最小 备用物品 电流 模式 是 entered 当 CE
≤
0.2 v 或者 CE
≥
V
DD
−
0.2 v.
(3) 当
UB (或者 LB ) 是 运行 在 这 v
IH
(最小值.) 水平的(2.2 v), 这 运行 电流 是 给 用 i
DDS1
在 这 转变 的 v
DD
从 4.5 至 2.4 v.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标　题:
内　容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
　     
关于我们 | 联系我们
电    话：13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com