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资料编号:83257
 
资料名称:TC55NEM216AFTN55
 
文件大小: 181.25K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc55nem216aftn55,70
2002-07-04 8/11
便条:
(1) r/w 仍然是 高 为 这 读 循环.
(2) 如果
CE (或者 UB 或者 LB ) 变得 低 coincident 和 或者 之后 r/w 变得 低, 这 输出 将 仍然是 在
高 阻抗.
(3) 如果
CE (或者 UB 或者 LB ) 变得 高 coincident 和 或者 在之前 r/w 变得 高, 这 输出 将 仍然是 在
高 阻抗.
(4) 如果
OE 是 高 在 这 写 循环, 这 输出 将 仍然是 在 高 阻抗.
(5) 因为 i/o 信号 将 是 在 这 输出 状态 在 这个 时间, 输入 信号 的 反转 极性 必须 不 是
应用.
数据 保持 特性(
Ta
=
==
=
−−
40
°
至 85
°
C
)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
DH
数据 保持 供应 电压 2.0
5.5 v
Ta
=
40~40
°
C
3
I
DDS2
备用物品 电流
Ta
=
40~85
°
C
20
µ
一个
t
CDR
碎片 deselect 至 数据 保持 模式 时间 0
ns
t
R
恢复 时间 5
ms
控制 数据 保持 模式
, 控制 数据 保持 模式
(看 便条 2)
CE
UB
LB
V
DD
4.5V
V
IH
数据 保持 模式
t
R
(看 便条 3)
(看 便条 3)
t
CDR
V
DD
V
DD
0.2 v
UB
, LB
V
DD
4.5V
V
IH
数据 保持 模式
t
R
(看 便条 1)
(看 便条 1)
t
CDR
V
DD
V
DD
0.2 v
CE
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