7.2 6
idt71256 s/l
cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
交流 电的 特性
(v
CC
= 5.0v
±
10%, 所有 温度 范围)
71256S55
(1)
71256S70
(1)
71256S85
(1)
71256S100
(1,3)
71256L55
(1)
71256L70
(1)
71256L85
(1)
71256L100
(1,3)
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
读 循环
t
RC
读 循环 时间 55 — 70 — 85 — 100 — ns
t
AA
地址 进入 时间 — 55 — 70 — 85 — 100 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间 — 55 — 70 — 85 — 100 ns
t
CLZ
(2)
碎片 deselect 至 输出 在 低-z 5 — 5 — 5 — 5 — ns
t
CHZ
(2)
输出 使能 至 输出 在 低-z — 25 — 30 — 35 — 40 ns
t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 — 25 — 30 — 35 — 40 ns
t
OLZ
(2)
输出 使能 至 输出 在 低-z 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
OHZ
(2)
输出 使不能运转 至 输出 在 高-z 0 25 0 30 — 35 — 40 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 5 — 5 — 5 — 5 — ns
写 循环
t
WC
写 循环 时间 55 — 70 — 85 — 100 — ns
t
CW
碎片 选择 至 终止-的-写 50 — 60 — 70 — 80 — ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 50 — 60 — 70 — 80 — ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 40 — 45 — 50 — 55 — ns
t
WR
写 恢复 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 25 — 30 — 35 — 40 — ns
t
DH
数据 支撑 从 写 时间 (
我们
)0—0—0—0—ns
t
WHZ
(2)
写 使能 至 输出 在 高-z — 25 — 30 — 35 — 40 ns
t
OW
(2)
输出 起作用的 从 终止-的-写 5 — 5 — 5 — 5 — ns
注释:
2946 tbl 11
1. –55
°
c 至 +125
°
c 温度 范围 仅有的.
2. 这个 参数 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
3. 也 有: 120 和 150 ns 军队 设备.
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