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商业的 和 工业的 温度 范围
idt72v295/72v2105 3.3v 高 密度 cmos
supersync 先进先出
TM
131,072 x 18, 262,144 x 18
图示 4. 可编程序的 标记 补偿 程序编制 sequence
图示 3. 补偿 寄存器 location 和 default 值
17
0
007fh 如果
LD
是 低 在 主控 重置,
03ffh 如果
LD
是 高 在 主控 重置
default 值
全部 补偿 (lsb) 寄存器
17
0
default 值
007fh 如果
LD
是 低 在 主控 重置,
03ffh 如果
LD
是 高 在 主控 重置
15
idt72v295 (131,072 x 18-位)
16
1516
empty 补偿 (lsb) 寄存器
17 0
007fh 如果
LD
是 低 在 主控 重置,
03ffh 如果
LD
是 高 在 主控 重置
全部 补偿 (lsb) 寄存器
17
0
default 值
default 值
007fh 如果
LD
是 低 在 主控 重置,
03ffh 如果
LD
是 高 在 主控 重置
15
idt72v2105 (262,144 x 18-位)
16
15
16
empty 补偿 (lsb) 寄存器
17
DEFAULT
0H
01 17
021
17
021
17
01
empty 补偿
(msb) 寄存器
DEFAULT
0H
全部 补偿
(msb) 寄存器
DEFAULT
0H
empty 补偿
(msb) 寄存器
DEFAULT
0H
全部 补偿
(msb) 寄存器
4668 drw 06
WCLK RCLK
X
X
XX
X
X
XX
4668 drw 07
LD
0
0
X
1
1
1
0
WEN
0
1
1
0
X
1
1
REN
1
0
1
X
0
1
1
X
SEN
1
1
1
X
X
X
0
非 运作
写 记忆
读 记忆
非 运作
并行的 写 至 寄存器:
empty 补偿 (lsb)
empty 补偿 (msb)
全部 补偿 (lsb)
全部 补偿 (msb)
串行 变换 在 寄存器:
34 位 为 这 72v295
36 位 为 这 72v2105
1 位 为 各自 rising wclk 边缘
开始 和 empty 补偿 (lsb)
ending 和 全部 补偿 (msb)
IDT72V295
IDT72V2105
并行的 读 从 寄存器:
empty 补偿 (lsb)
empty 补偿 (msb)
全部 补偿 (lsb)
全部 补偿 (msb)
注释:
1. 这 程序编制 方法 能 仅有的 是 选择 在 主控 重置.
2. 并行的 读 的 这 补偿 寄存器 是 总是 permitted regardless 的 这个 程序编制 方法 有 被 选择.
3. 这 程序编制 sequence 应用 至 两个都 idt 标准 和 fwft 模式.
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