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商业的 温度 范围
idt72v3622/72v3632/72v3642 cmos 3.3v syncbififo
TM
256 x 36 x 2, 512 x 36 x 2, 1,024 x 36 x 2
IDT72V3622L10
(1)
IDT72V3622L15
IDT72V3632L10
(1)
IDT72V3632L15
IDT72V3642L10
(1)
IDT72V3642L15
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
一个
进入 时间, clka
↑
至 a0-a35 和 clkb
↑
至 b0-b35 2 6.5 2 10 ns
t
WEF
传播 延迟 时间, clka
↑
至
FFA
/ira 和 clkb
↑
至
FFB
/irb
2 6.5 2 8 ns
t
REF
传播 延迟 时间, clka
↑
至
EFA
/ora 和 clkb
↑
至
EFB
/orb
1 6.5 1 8 ns
t
PAE
传播 延迟 时间, clka
↑
至
AEA
和 clkb
↑
至
AEB
1 6.5 1 8 ns
t
PAF
传播 延迟 时间, clka
↑
至
AFA
和 clkb
↑
至
AFB
1 6.5 1 8 ns
t
PMF
传播 延迟 时间, clka
↑
至
MBF1
低 或者
MBF2
高 和 clkb
↑
至 0 6.5 0 8 ns
MBF2
低 或者
MBF1
高
t
PMR
传播 延迟 时间, clka
↑
至 b0-b35
(2)
和 clkb
↑
至 a0-a35
(3)
28210ns
t
MDV
传播 延迟 时间, mba 至 a0-a35 有效的 和 mbb 至 b0-b35 有效的 2 6.5 2 10 ns
t
RSF
传播 延迟 时间
,
RST1
低 至
AEB
低,
AFA
高, 和
MBF1
高, 1 10 1 15 ns
和
RST2
低 至
AEA
低,
AFB
高, 和
MBF2
高
t
EN
使能 时间,
CSA
和 w/
R
一个 低 至 a0-a35 起作用的 和
CSB
低 和
W
/rb 2 6 2 10 ns
高 至 b0-b35 起作用的
t
DIS
使不能运转 时间,
CSA
或者 w/
R
一个 高 至 a0-a35 在 高-阻抗
和
CSB
高 或者
1618ns
W
/rb 低 至 b0-b35 在 高-阻抗
注释:
1.
为 10ns 速 等级 仅有的: v
CC
= 3.3v +/- 0.15v, t
一个
= 0
°°
°°
°
至 +70
°°
°°
°
c; 电子元件工业联合会 jesd8-一个 一致的.
2. writing 数据 至 这 mail1 寄存器 当 这 b0-b35 输出 是 起作用的 和 mbb 是 高.
3. writing 数据 至 这 mail2 寄存器 当 这 a0-a35 输出 是 起作用的 和 mba 是 高.
4. 工业的 温度 范围 是 有 用 特定的 顺序.
商业的: v
CC
=3.3v± 0.30v; 为 10ns (100 mhz) operation, v
CC
=3.3v ±0.15v; t
一个
= 0
ο
c 至 +70
ο
c; 电子元件工业联合会 jesd8-一个 一致的
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