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fn9038.3
12月 28, 2004
电感 值 将 慢 这 转换器 回馈 时间 至 一个
加载 瞬时.
一个 的 这 参数 限制的 这 转换器’s 回馈 至 一个
加载 瞬时 是 这 时间 必需的 至 回转 这 inductor
电流. 给 一个 sufficiently 快 控制 循环 设计, 这
isl6528 将 提供 也 0% 或者 100% 职责 循环 在
回馈 至 一个 加载 瞬时. 这 回馈 时间 是 这 时间
间隔 必需的 至 回转 这 inductor 电流 从 一个 最初的
电流 值 至 这 最终 电流 水平的. 在 这个 间隔 这
区别 在 这 inductor 电流 和 这 加载 电流
必须 是 有提供的 用 这 输出 电容(s). 降低 这
回馈 时间 能 降低 这 输出 电容
必需的.
这 回馈 时间 至 一个 瞬时 是 不同的 为 这
应用 的 加载 和 这 除去 的 加载. 这 下列的
equations 给 这 近似的 回馈 时间 间隔 为
应用 和 除去 的 一个 瞬时 加载:
在哪里 i
TRAN
是 这 瞬时 加载 电流 步伐, t
上升
是 这
回馈 时间 至 这 应用 的 加载, 和 t
下降
是 这
回馈 时间 至 这 除去 的 加载.
和 一个 +3.3v 输入 源, 这worst 情况 回馈 时间 能
是 也 在 这 application 或者 除去 的 加载 和 依赖
在之上 这 输出 电压 设置.是 确信 至 审查 两个都 的
这些 equations 在 这 最小 和 最大 输出 水平
为 这 worst 情况 回馈 时间.
输入 电容 选择
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是
这 电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 大(量) 输入 电容 和 电压 和
电流 比率 在之上 这 maximum 输入 电压 和 largest
rms 电流 必需的 用 这 电路. 这 电容 电压
比率 应当 是 在 least 1.25 时间 更好 比 这
最大 输入 电压 和 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是 一个
conservative 指导原则. 这 rms 电流 比率 必要条件
为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是 大概
1/2 的 这 summation 的 这 直流 加载 电流.
使用 一个 混合 的 输入 绕过 capacitors 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 陶瓷的 电容
为 这 高 频率 解耦 和 大(量) 电容 至
供应 这 rms 电流. 小陶瓷的 电容 能 是
放置 非常 关闭 至 这 upper 场效应晶体管 至 压制 这
电压 induced 在 这 parasitic 电路 阻抗. 连接
它们 直接地 至 地面 和 一个通过 放置 非常 关闭 至 这
陶瓷的 电容 footprint.
为 一个 通过-孔 设计, 一些 铝 electrolytic
电容 将 是 需要. 为 表面 挂载 设计,
tantalum 或者 特定的 polymer 电容 能 是 使用, 但是
提醒 必须 是 exercised 和关于 至 这 电容 surge
电流 比率. 这些 电容 必须 是 有能力 的 处理
这 surge-电流 在 电源-向上.
晶体管 选择/仔细考虑
这 isl6528 需要 二 外部 晶体管. 一个 n-
频道 场效应晶体管 是 使用 作 the upper 转变 在 一个 标准
buck topology pwm 转换器. 这 直线的 控制 驱动
一个 npn 双极 晶体管 作 一个 通过 元素. 这 晶体管
应当 是 选择 为基础 在之上 r
ds(在)
, 电流 增益,
饱和 电压, 门/根基 供应 (所需的)东西, 和
热的 管理 仔细考虑.
upper 场效应晶体管 转变 选择
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源 消耗,
包装 选择 和 散热器 是 这 首要的 设计
factors. 这 电源 消耗 包含 二 丧失
组件; 传导 丧失 和 切换 丧失. 这
传导 losses 账户 为 一个 大 portion 的 这 电源
消耗 的 这 场效应晶体管. 切换 losses 也 contribute
至 这 整体的 场效应晶体管 电源 丧失.
在哪里 i
o
是 这 最大 加载 电流, d 是 这 职责 循环 的
这 转换器 (定义 作 v
O
/v
在
), t
SW
是 这 切换
间隔, 和 f
SW
是 这 pwm 切换 频率.
这些 equations 假设 直线的 电压-电流 transitions
和 是 approximations. 这 门-承担 losses 是
dissipated 用 这 isl6528 和 做 不 热温 这 场效应晶体管.
不管怎样, 大 门-承担 增加 这 切换 间隔,
t
SW
, 这个 增加 这 upper 场效应晶体管 切换 losses.
确保 那 这 场效应晶体管 是在里面 它的 最大 接合面
温度 在 高 包围的 temperature 用 calculating 这
温度 上升 符合 至 包装 热的-阻抗
规格. 一个 独立的 散热器 将 是 需要
取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装 类型, 包围的
温度, 空气 流动, 和 加载 电流 (所需的)东西.
给 这 减少 有 门 偏差 电压 (5v) 一个 逻辑-
水平的 晶体管 是 推荐 为 这 upper 转变. 关闭
注意 至 布局 指导原则 应当 是 exercised 和
设备 exhibiting 非常 低 v
gs(在)
特性, 作 这
低 门 门槛 可以 含铅的 至 一些 shoot-通过 despite
counteracting 电路系统 呈现 aboard 这 isl6528.
npn 通过 晶体管 选择
一个 双极 npn 晶体管 必须 是 使用 和 这 直线的
控制. insure 这 电流 增益 在 这 给 运行 v
CE
是 sufficiently 大 至 provide 这 desired 最大 输出
t
上升
L
O
I
TRAN
×
V
在
V
输出
–
--------------------------------=
t
下降
L
O
I
TRAN
×
V
输出
-------------------------------=
(eq. 13)
(eq. 14)
P
传导
I
o
2
r
DS 在
()
×
D
×≅
P
切换
1
2
---i
o
V
在
×
t
SW
×
F
SW
×≅
(eq. 15)
(eq. 16)
ISL6528
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