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fn9038.3
12月 28, 2004
加载 电流 当 这 根基 是喂养 和 这 最小 驱动器
输出 电流.
这 主要的 criteria 为 选择 的 这 直线的 调整器 通过
晶体管 是 包装 选择 为 效率高的 除去 的 热温.
选择 一个 包装 和 散热器 那 维持 这 接合面
温度 在下 这 比率 和 一个 最大 预期的
包围的 温度.
这 电源 dissipated 在 一个 直线的 调整器 是:
在哪里 i
O
是 这 最大 输出 电流 和 v
输出
是 这
名义上的 输出 电压 的 这 直线的 调整器.
二极管 选择 (d1)
整流器 d1 conducts 当 场效应晶体管 q1 是 止. 这 二极管
应当 是 一个 肖特基 类型 为 低 电源 losses. 这 电源
消耗 在 这 肖特基 rectifier 是 近似 用:
在哪里 i
O
是 这 最大 输出 电流 的 这 pwm
转换器, v
f
是 这 肖特基 向前 电压 漏出, 和 d 是
这 职责 循环 的 这 转换器 (定义 作 v
O
/v
在
).
在 增加 至 电源 消耗, 包装 选择 和
散热器 (所需的)东西 是 这 主要的 设计 trade-offs 在
choosing 一个 肖特基 整流器. 自从 这 三 factors 是
interrelated, 这 选择 process 是 一个 iterative 程序.
这 最大 接合面 温度 的 这 整流器 必须
仍然是 在下 这 生产者’s 指定 值, 典型地
125°c. 用 使用 这 包装 热的 阻抗
规格 和 这 肖特基电源 消耗 等式,
这 接合面 温度 的 这 整流器 能 是 estimated. 是
确信 至 使用 这 有 airf低 和 包围的 温度 至
决定 这 接合面 温度 上升.
自举 组件 选择
外部 自举 组件, 一个 二极管 和 电容, 是
必需的 至 提供 sufficient 门 增强 至 这
场效应晶体管. 这 内部的 场效应晶体管 门 驱动器 是 有提供的 用
这 外部 自举 电路系统 作 显示 在 图示 8. 这
激励 电容, c
激励
, develops 一个 floating 供应 电压
关联 至 这 阶段 管脚. 这个 供应 是 refreshed 各自
循环, 当 d1 conducts, 至 一个 电压 的 vcc 较少 这 激励
二极管 漏出, v
D2
, 加 这 电压 上升 横过 d1.
just 之后 这 pwm switching 循环 begins 和 这 承担
转移 从 这 自举 capacitor 至 这 门 电容
是 完全, 这 电压 在 这自举 电容 是 在 它的
最低 要点 在 这 切换 循环. 这 承担 lost 在
这 自举 电容 将 是 equal 至 这 承担
transferred 至 这 相等的门-源 电容 的 这
场效应晶体管 作 显示 在 等式 19.
在哪里 q
门
是 这 最大 总的 门 承担 的 这
场效应晶体管, c
激励
是 这 自举 电容, v
BOOT1
是
这 自举 电压 立即 在之前 转变-在, 和
V
BOOT2
是 这 自举 电压 立即 之后 转变-在.
这 自举 capacitor begins 它的 refresh 循环 当 这
门 驱动 begins 至 转变 止 这 场效应晶体管. 一个 refresh 循环
ends 当 这 场效应晶体管 是 转变 在 又一次, 这个 varies
取决于 在 这 切换 频率 和 职责 循环.
这 最小 自举 电容 能 是 计算 用
rearranging 等式 19 和 solving 为 c
激励
.
典型 门 承担 值 为 mosfets 考虑 在
这些 类型 的 产品 range 从 20–100nc. 自从 这
电压 漏出 横过 d2 是 补偿 用 这 电压 漏出 横过
d1, v
BOOT1
是 simply vcc (+5v). 一个 好的 rule 是 至 保持 这
电压 漏出 横过 这 自举 电容 非 更好 比
1v 在 这 在-时间 的 这场效应晶体管. 最初的 calculations
和 v
BOOT2
非 较少 比 4v 将 quickly 帮助 narrow 这
自举 电容 范围.
为 例子, 考虑 一个 场效应晶体管 是 选择 和 一个
最大 门 承担, q
g
, 的 100nc. 限制的 这 电压
漏出 横过 这 自举 电容 至 1v 结果 在 一个 值
的 非 较少 比 0.1
µ
f. 这 容忍 的 这 陶瓷的 电容
应当 也 是 考虑 当selecting 这 最终 自举
电容 值.
一个 快 恢复 二极管 是 推荐 当 selecting 一个
自举 二极管 至 减少 这 impact 的 反转 恢复
承担 丧失. 否则,这 恢复 承担, q
RR
, 将
有 至 是 增加 至 这 门 承担 的 这 场效应晶体管 和
带去 在 仔细考虑 当 calculating 这 最小
自举 电容. 雇用ing 一个 肖特基 二极管 在 一个
标准 二极管 将 也 增加 这 门 驱动 电压
有 至 增强 这 场效应晶体管.
P
直线的
I
O
V
在
V
输出
–
()×≅
(eq. 17)
P
传导
I
O
V
f
×
1D
–
()×≅
(eq. 18)
Q
门
C
激励
V
BOOT1
V
BOOT2
–
()×
=
(eq. 19)
Q1
D1
C
激励
激励
UGATE
阶段
VCC
+3.3v
+5V
D2
ISL6528
图示 8. upper 门 驱动
C
激励
Q
门
V
BOOT1
V
–
BOOT2
-----------------------------------------------------
≥
(eq. 20)
ISL6528
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