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fn9160.2
july 25, 2005
门槛 概述 在 the 电的 规格
决定 当 这 更小的 和 upper 门 是 使能.
这个 特性 helps 阻止 一个 negative 瞬时在 这 输出
电压 当 这 输出 是 shut 向下, eliminating 这
肖特基 二极管 那 是 使用 在 一些 系统 为 protecting
这 加载 从 使反转 输出 电压 events.
在 增加, 更多 比 400mv hysteresis 也 包含
在 这 三-状态 关闭 window 至 eliminate pwm
输入 振动 预定的 至 这电容的 加载 seen 用 这
pwm 输入 通过 这 身体 二极管 的 这 控制’s pwm
输出 当 这 电源-向上 和/或者 电源-向下 sequence 的
偏差 供应 的 这 驱动器 和 pwm 控制 是 必需的.
电源-在 重置 (por) 函数
在 最初的 startup, 这 vcc 电压 上升 是 监控.
once 这 rising vcc 电压 超过 9.8v (典型地),
运作 的 这 驱动器 是 使能 和 这 pwm 输入 信号
takes 控制 的 这 门 驱动. 如果 vcc drops 在下 这
下落 门槛 的 7.6v (typically), 运作 的 这 驱动器 是
无能.
前-por 超（电）压 保护
较早的 至 vcc exceeding 它的 por 水平的, 这 upper 门 是 使保持
低 和 这 更小的 门 是 控制 用 这 超（电）压
保护 电路在 最初的 startup. 这 阶段 是
连接 至 这 门 的 the 低 一侧 场效应晶体管 (lgate),
这个 提供 一些 保护至 这 微处理器 如果 这
upper 场效应晶体管(s) 是 短接 在 最初的 startup. 为
完全 保护, 这 低 一侧 场效应晶体管 应当 有 一个
门 门槛 好 在下 这 最大 电压 比率 的 这
加载/微处理器.
当 vcc drops 在下 它的 por 水平的, 两个都 门 拉 低
和 这 前-por 超（电）压 保护 电路 是 不
使活动 直到 vcc resets.
内部的 自举 设备
两个都 驱动器 特性 一个 内部的 自举 肖特基 二极管.
simply adding 一个 外部 电容 横过 这 激励 和
阶段 管脚 完成 这 自举 电路. 这 自举
函数 是 也 设计 至 阻止 这 自举 电容
从 overcharging 预定的 至 这 大 负的 摆动 在 这
trailing-边缘 的 这 阶段 node. 这个 减少 电压
压力 在 这 激励 至 阶段 管脚.
这 自举 电容 必须 有 一个 最大 电压
比率 在之上 uvcc + 5v 和 它的 电容 值 能 是
选择 从 这 下列的 等式:
在哪里 q
G1
是 这 数量 的 门 承担 每 upper 场效应晶体管
在 v
GS1
门-源 电压 和 n
Q1
是 这 号码 的 控制
mosfets 每 频道. 这
∆
V
激励_cap
期 是 定义 作
这 容许的 droop 在 这 rail 的 这 upper 门 驱动.
作 一个 例子, 假定 二 irlr7821 fets 是 选择 作
这 upper mosfets. 这 门 承担, q
G
, 从 这 数据
薄板 是 10nc 在 4.5v (v
GS
) 门-源 电压. 然后 这
Q
门
是 计算 至 是 53nc 为 pvcc = 12v. 我们 将
假设 一个 200mv droop 在 驱动 电压 在 这 pwm
循环. 我们 find 那 一个 自举 电容 的 在 least
0.267
µ
f 是 必需的.
门 驱动 电压 versatility
这 isl6614a 提供 这 用户flexibility 在 choosing 这
门 驱动 电压 为 效率 optimization. 这 isl6614a
ties 这 upper 和 更小的 驱动 围栏 一起. simply 应用
一个 电压 从 5v 向上 至 12v 在 pvcc sets 两个都 门 驱动
栏杆 电压 同时发生地. 连接 一个 sot-23 包装
类型 的 双 肖特基 二极管 从 这 vcc 至 boot1 和
boot2 能 绕过 这 内部的 自举 设备 的 两个都
upper 门 所以 那 这 部分 能 运作 作 一个 双 isl6612
驱动器, 这个 有 一个 fixed vcc (12v 典型地) 在 这 upper
门 和 一个 可编程序的 更小的 门 驱动 电压.
电源 消耗
包装 电源 消耗 是 mainly 一个 函数 的 这
切换 频率 (f
SW
), 这 输出 驱动 阻抗, 这
外部 门 resistance, 和 这 选择 场效应晶体管’s
内部的 门 阻抗 和 总的 门 承担. calculating
这 电源 消耗 在 这 驱动器 为 一个 desired 应用 是
核心的 至 确保 safe 运作. exceeding 这 最大
容许的 电源 消耗 水平的 将 推 这 ic 在之外 这
最大 推荐 运行 接合面 温度 的
125°c. 这 最大 容许的 ic 电源 消耗 为 这
so14 包装 是 大概 1w 在 房间 温度,
当 这 电源 消耗 capacity 在 这 qfn 包装,
和 一个 exposed 热温 escape 垫子,是 周围 2w. 看 布局
仔细考虑 paragraph 为 热的 转移 改进
C
激励_cap
Q
门
∆
V
激励_cap
--------------------------------------
≥
Q
门
Q
G1
PVCC
•
V
GS1
------------------------------------
N
Q1
•
=
(eq. 1)
50nC
20nC
图示 2. 自举 电容 vs 激励 波纹
电压
∆
V
激励_cap
(v)
C
激励_cap
(
µ
f)
1.6
1.4
1.2
1.
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.30.0 0.1 0.2 0.4 0.5 0.6 0.90.7 0.8 1.0
Q
门
= 100nc
ISL6614A
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