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M27C2001
表格 7. 读 模式 直流 特性
(1)
(ta = 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
PP
.
2. 最大 直流 电压 在 输出 是 V
CC
+0.5v.
表格 8a. 读 模式 交流 特性
(1)
(ta = 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
PP
.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. 在 情况 的 45ns 速 看 高 速 交流 度量 情况.
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
LO
Output 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流
E=V
IL
,g=v
IL
,
I
输出
= 0ma, f = 5MHz
30 毫安
I
CC1
供应 电流 (standby) TTL
E=V
IH
1mA
I
CC2
供应 电流 (standby) CMOS E > V
CC
– 0.2v 100
µ
一个
I
PP
程序 电流
V
PP
=V
CC
10
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
(2)
输入 高 电压 2
V
CC
+1
V
V
OL
Output 低 电压
I
OL
= 2.1ma
0.4 V
V
OH
Output 高 电压 TTL
I
OH
= –400
µ
一个
2.4 V
Output 高 电压 CMOS
I
OH
= –100
µ
AV
CC
– 0.7v
V
标识 Alt 参数 测试 Condition
M27C2001
单位
-55
(3)
-70 -80 -90
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至
输出 有效的
E=V
IL
,g=v
IL
55 70 80 90 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低 至
输出 有效的
G=V
IL
55 70 80 90 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低
至 输出 有效的
E=V
IL
30 35 40 40 ns
t
EHQZ
(2)
t
DF
碎片 使能 高 至
输出 hi-z
G=V
IL
0 30 0 30 0 30 0 30 ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能 高
至 输出 hi-z
E=V
IL
0 30 0 30 0 30 0 30 ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变 至
输出 转变
E=V
IL
,g=v
IL
0000ns
二 线条 输出 控制
因为 EPROMs 是 通常地 使用 在 大
记忆 arrays, 这个 产品 特性 一个 2 线条 con-
trol 函数 这个 accommodates 这 使用 的 mul-
tiple 记忆 连接. 这 二 线条 控制
函数 准许:
一个. 这 最低 可能 记忆 电源 消耗,
b. 完全 assurance 那 输出 总线 contention
将 不 出现.
为 这 大多数 效率高的 使用 的 这些 二 控制
线条, E 应当 是 解码 和 使用 作 这 prima-
ry 设备 selecting 函数, 当 G 应当 是
制造 一个 一般 连接 至 所有 设备 在 这
排列 和 连接 至 这 读 线条 从 这
系统 控制 总线. 这个 确保 那 所有 deselect-
ed 记忆 设备 是 在 它们的 低 电源 备用物品
模式 和 那 这 输出 管脚 是 仅有的 起作用的
当 数据 是 必需的 从 一个 particular 记忆
设备.
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