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M27C2001
表格 9. 程序编制 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
=25
°
c; V
CC
= 6.25v
±
0.25v; V
PP
= 12.75v
±
0.25v)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
PP
.
表格 10. 程序编制 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
=25
°
c; V
CC
= 6.25v
±
0.25v; V
PP
= 12.75v
±
0.25v)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
PP
.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
标识 参数 测试 Condition 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
0
≤
V
在
≤
V
IH
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流 50 毫安
I
PP
程序 电流
E=V
IL
50 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
V
OH
Output 高 电压 TTL
I
OH
= –400
µ
一个
2.4 V
V
ID
A9 电压 11.5 12.5 V
标识 Alt 参数 测试 Condition 最小值 最大值 单位
t
AVPL
t
作
地址 有效的 至 程序 低 2
µ
s
t
QVPL
t
DS
输入 有效的 至 程序 低 2
µ
s
t
VPHPL
t
VPS
V
PP
高 至 程序 低
2
µ
s
t
VCHPL
t
VCS
V
CC
高 至 程序 低
2
µ
s
t
ELPL
t
CES
碎片 使能 低 至 程序 低 2
µ
s
t
PLPH
t
PW
程序 脉冲波 Width 95 105
µ
s
t
PHQX
t
DH
程序 高 至 输入 转变 2
µ
s
t
QXGL
t
OES
输入 转变 至 输出 使能 低 2
µ
s
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至 输出 有效的 100 ns
t
GHQZ
(2)
t
DFP
输出 使能 高 至 输出 hi-z 0 130 ns
t
GHAX
t
AH
输出 使能 高 至 地址
转变
0ns
程序编制
当 delivered (和 之后 各自 erasure 为 UV
非易失存储器), 所有 位 的 这 M27C2001 是 在 这 ’1’
状态. 数据 是 introduced 用 selectively 程序-
ming ’0’s 在 这 desired 位 locations. 虽然
仅有的 ’0’s 将 是 编写程序, 两个都 ’1’s 和 ’0’s 能
是 呈现 在 这 数据 文字. 这 仅有的 方法 至
改变 一个 ’0’ 至 一个 ’1’ 是 用 消逝 暴露 至 ultraviolet
明亮的 (uv 非易失存储器). 这 M27C2001 是 在 这 pro-
gramming 模式 当 V
PP
输入 是 在 12.75v, E 是
在 V
IL
和 P 是 搏动 至 V
IL
. 这 数据 to 是 pro-
grammed 是 应用 至 8 位 在 并行的 至 这 数据
输出 管脚. 这 水平 必需的 为 这 地址
和 数据 输入 是 ttl. V
CC
是 指定 至 是
6.25v
±
0.25v.
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