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手机版
资料编号:8496
资料名称:
DS1230AB-200
文件大小: 213.86K
说明
:
介绍
:
256k Nonvolatile SRAM
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1230y/ab
4 的 12
电容
(t
一个
=25
°
c)
参数
标识
最小值
典型值
最大值
单位
注释
输入 电容
C
在
510
pF
输入/输出 电容
C
i/o
510
pF
交流 电的
(v
CC
=5V
±
=
5% 为 ds1230ab)
特性
(t
一个
: 看 便条 10) (v
CC
=5V
±
=
10% 为 ds1230y)
ds1230ab-70
ds1230y-70
ds1230ab-85
ds1230y-85
ds1230ab-100
ds1230y-100
参数
标识
最小值
最大值
最小值
最大值
最小值
最大值
单位
注释
读 循环
时间
t
RC
70
85
100
ns
进入 时间
t
ACC
70
85
100
ns
OE
至 输出
有效的
t
OE
35
45
50
ns
CE
至 输出
有效的
t
CO
70
85
100
ns
OE
或者
CE
至
输出 起作用的
t
COE
55
5
ns5
输出 高 z
从
Deselection
t
OD
25
30
35
ns
5
输出 支撑
从 地址
改变
t
OH
55
5
ns
写 循环
时间
t
WC
70
85
100
ns
写 脉冲波
宽度
t
WP
55
65
75
ns
3
地址 建制
时间
t
AW
00
0
ns
写 恢复
时间
t
WR1
t
WR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
输出 高 z
从
我们
t
ODW
25
30
35
ns
5
输出 起作用的
从
我们
t
OEW
55
5
ns5
数据 建制
时间
t
DS
30
35
40
ns
4
数据 支撑
时间
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
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