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资料编号:8496
 
资料名称:DS1230AB-200
 
文件大小: 213.86K
   
说明
 
介绍:
256k Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1230y/ab
8 的 12
电源-向下/电源-向上 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
ce, 在 v
IH
在之前 电源-向下 t
PD
0
µ
s
11
V
CC
回转 从 v
TP
至 0v (
CE
在 v
IH
)
t
F
300
µ
s
V
CC
回转 从 0v 至 v
TP
(
CE
在 v
IH
)
t
R
300
µ
s
CE
在 v
IH
之后 电源-向上
t
REC
2 125 ms
(t
一个
=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
预期的 数据 保持 时间 t
DR
10 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的 任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池
backup 模式.
注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2.
OE
= v
IH
或者 v
IL
. 如果
OE
= v
IH
在 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
3.
t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的
CE
我们
. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的
CE
或者
我们
going 低 至 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
4.
t
DH
, t
DS
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
5.
这些 参数 是 抽样 和 一个 5 pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6.
如果 这
CE
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 latter 比 这
我们
低 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
7.
如果 这
CE
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
我们
高 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
8.
如果
我们
是 低 或者 这
我们
低 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
CE
低 转变,
这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
9.
各自 ds1230y 有 一个 建造-在 转变 那 disconnects 这 lithium 源 直到 v
CC
是 第一 应用 用
这 用户. 这 预期的 t
DR
是 定义 作 accumulative 时间 在 这 absence 的 v
CC
开始 从 这
时间 电源 是 第一 应用 用 这 用户.
10.
所有 交流 和 直流 电的 特性 是 有效的 在 这 全部 运行 温度 范围. 为
商业的 产品, 这个 范围 是 0
°
c 至 70
°
c. 为 工业的 产品 (ind), 这个 范围 是 -40
°
c 至
+85
°
c.
11.
在 一个 电源-向下 情况 这 电压 在 任何 管脚 将 不 超过 这 电压 在 v
CC
.
12.
t
WR1
和 t
DH1
是 量过的 从
我们
going 高.
13.
t
WR2
和 t
DH2
是 量过的 从
CE
going 高.
14.
ds1230 插件 modules 是 公认的 用 underwriters laboratory (u.l.
) 下面 文件 e99151.
ds1230 powercap modules 是 pending u.l. review. 联系 这 工厂 为 状态.
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