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资料编号:85233
 
资料名称:ADG736BRM
 
文件大小: 99.85K
   
说明
 
介绍:
CMOS Low Voltage 4 ohm Dual SPDT Switch
 
 


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ADG736
–5–rev. 0
典型 效能 characteristics–
V
D
或者 v
S
– 流 或者 源 电压 – 伏特
6
R
0
0 0.5
0.5
1
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
V
DD
= +3v
V
DD
= +4.5v
V
DD
= +5v
V
DD
= +2.7v
T
一个
= +25
C
图示 1. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 单独的
供应
V
D
或者 v
S
– 源 或者 流 电压 – 伏特
6
R
0
0
+85
C
0.5
1
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
13
V
DD
= +3v
–40
C
0.5 1.5 2 2.5
+25
C
图示 2. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为
不同的 温度 v
DD
= 3 v
V
D
或者 v
S
– 流 或者 源 电压 – 伏特
6
R
0
0 0.5
0.5
1
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
+85
C
–40
C
+25
C
V
DD
= +5v
图示 3. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为
不同的 温度 v
DD
= 5 v
频率 – hz
10m
I
供应
– 一个
1m
100
10
1
100n
10n
1n
100 1k 10k 100k 1M 10M
V
DD
= +5v
T
一个
= +25
C
图示 4. 供应 电流 vs. 输入 切换 频率
V
DD
=
+5V
T
一个
=
+25
C
频率
H
Z
0
10M10k
–4
–2
100k 1M 100M
–6
回馈
dB
图示 5. 在 回馈 vs. 频率
频率 – hz
–120
止 分开 – db
10k 100k 1M 10M 100M
–110
–100
–90
–130
–80
–70
–60
–50
–40
–30
V
DD
=
+5v,
+3V
T
一个
=
+25
C
图示 6. 止 分开 vs. 频率
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