renesas lsis
262144-biT(32768-word 用 8-biT) cmos sTATic 内存
m5m5256dfp,vp-55ll,-70ll,-70lli,
-55xl,-70xl
4
(1)读 cycLE
(2)写 循环
Symbol Parameter
tCR 读 cycle 时间
增加ressaccesstime
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
限制s
t一个(s)
t一个(oe)
tdis(s)
tdis(oe)
ten(s)
ten(oe)
tV(一个)
t一个(一个)
-70ll,-70lli,
-70 xl
交流 electrical characteriSTICS
( vcc=5V±10%, 除非 其它wise 指出 )
碎片select accesstime
输出 使能 accesstime
输出 dis能 时间 after /s 高
输出 dis能 时间 after /oe high
输出 使能 时间 after /s低
输出 使能 时间 after /oe低
数据 valid 时间 after address
最大值最小值
55
5
5
10
最小值
55
55
30
20
20
最大值
-55ll, 55xl
70
5
5
10
70
70
35
25
25
Symbol Parameter
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
限制s
Write cycle 时间
Write pulse 宽度
增加ress setup 时间
增加ress setup 时间withrespect 至 /w 高
碎片selectsetup 时间
数据setup 时间
数据 支撑 时间
Write恢复 time
输出 dis能 时间 f只读存储器 /w 低
输出 dis能 时间 f只读存储器 /oe 高
输出 使能 时间 f只读存储器 /w 高
输出 使能 时间 f只读存储器 /oe 低
最大值最小值
-70ll,-70lli,
-70 xl
-55ll, -55xl
最大值最小值
tCW
tw(w)
tsu(一个)
tsu(一个-WH)
tsu(s)
tsu(d)
th(d)
trec(w)
tdis(w)
tdis(oe)
ten(w)
ten(oe)
55
40
0
50
50
25
0
0
5
5
20
20
70
50
0
65
65
30
0
0
5
5
25
25
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