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资料编号:873233
 
资料名称:MM908E621
 
文件大小: 719K
   
说明
 
介绍:
Integrated Quad Half-Bridge and Triple High-Side with Embedded MCU and LIN for High End Mirror
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
相似物 整体的 电路 设备 数据
10 freescale 半导体
908E621
静态的 电的 特性
lin 物理的 layer
lin transceiver 输出 电压
recessive 状态, txd 高, i
输出
= 1.0
µ
一个
首要的 状态, txd 低, 500
外部 pullup 电阻
V
lin_rec
V
lin_dom
V
SUP
-1
1.4
V
正常的 模式 pullup 电阻 至 vsup R
PU
20 30 47 k
停止, 睡眠 模式 pullup 电流 源 I
PU
—20—
µ
一个
输出 电流 关闭 门槛 I
BLIM
100 230 280 毫安
输出 电流 关闭 定时 I
BLS
5.0 40 µs
泄漏 电流 至 地
V
SUP
disconnected, v
总线
在 18v
recessive 状态, 8v
V
SUP
18v, 8v
V
总线
18v, v
总线
V
SUP
地 disconnected, v
= v
SUP
, v
总线
在 -18v
I
总线
I
总线-pas-rec
I
总线-nognd
0.0
-1.0
1.0
3.0
10
20
1.0
µA
µA
毫安
lin 接受者
接受者 门槛 首要的
接受者 门槛 recessive
接受者 门槛 中心
接受者 门槛 hysteresis
V
总线_dom
V
总线_rec
V
总线_cnt
V
总线_hys
0.6
0.475
0.5
0.4
0.525
0.175
VSUP
表格 3. 静态的 电的 特性 (持续)
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 谈及 至 the 68hc908ey16 数据手册 为 characteristics 的 这 微控制器
碎片. 特性 指出 下面 情况 9.0 V
V
SUP
16 v, -40
°
C
T
J
125
°
c 除非 否则 指出. 典型 值
指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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