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资料编号:873233
 
资料名称:MM908E621
 
文件大小: 719K
   
说明
 
介绍:
Integrated Quad Half-Bridge and Triple High-Side with Embedded MCU and LIN for High End Mirror
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
相似物 整体的 电路 设备 数据
freescale 半导体 9
908E621
静态的 电的 特性
系统 resets 和 中断
低 电压 重置 (lvr)
门槛
Hysteresis
V
LVRON
V
lvr_hys
3.8
50
4.2
4.65
300
V
mV
低 电压 中断 (lvi)
门槛
Hysteresis
V
LVION
V
lvi_hys
6.0
0.3
7.5
0.8
V
高 电压 中断 (hvi)
门槛
Hysteresis
V
HVION
V
hvi_hys
20
0.5
24
1.5
V
高 温度 中断 (hti)
(12)
门槛 t
J
Hysteresis
T
ION
T
IH
125
5.0
150
10.0
°
C
高 温度 重置 (htr)
(12)
门槛 t
J
Hysteresis
T
RON
T
IH
155
5.0
180
10.0
°
C
电压 调整器
(13)
正常的 模式 输出 电压
(14)
I
输出
= 60 毫安, 7.5v < v
SUP
< 20v
I
输出
= 60 毫安, v
SUP
< 7.5v 和 v
SUP
> 20v
V
DDRUN1
V
DDRUN2
4.75
4.75
5.0
5.0
5.25
5.25
V
正常的 模式 总的 输出 电流 I
OUTRUN
–120150mA
加载 规章制度 - i
输出
= 60 毫安, v
SUP
= 9v, t
J
= 125
°
CV
LR
––100mV
停止 模式 输出 电压
(14)
V
DDSTOP
4.75 5.0 5.25 V
停止 模式 总的 输出 电流 I
OUTSTOP
150 500 850 uA
注释
12. 这个 参数 是 有保证的 用 处理 monitoring 但是 是 不 生产 测试.
13. 规格 和 外部 低 等效串联电阻 陶瓷的 电容 1.0
µ
f< c < 4.7
µ
f 和 200 m
Ω≤
等效串联电阻
10
. 它的 不 推荐 至 使用
电容 值 在之上 4.7
µ
F
14. 当 切换 从 正常的 至 停止 模式 或者 从 停止 模式 至 非rmal 模式, 这 输出 电压 能 相异 在里面 这 输出 voltage
规格.
表格 3. 静态的 电的 特性 (持续)
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 谈及 至 the 68hc908ey16 数据手册 为 characteristics 的 这 微控制器
碎片. 特性 指出 下面 情况 9.0 V
V
SUP
16 v, -40
°
C
T
J
125
°
c 除非 否则 指出. 典型 值
指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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