fedd51v17405f-01
1
半导体
MSM51V17405F
7/17
交流 特性 (2/3)
(v
CC
= 3.3v
±
0.3v, ta = 0 至 70°c) note1,2,3,12,13
MSM51V17405
f-50
MSM51V17405
f-60
MSM51V17405
f-70
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 便条
CAS
至
RAS
precharge 时间 t
CRP
5
5
5
ns
RAS
支撑 时间 从
CAS
Precharge t
RHCP
30
35
40
ns
OE
支撑 时间 从
CAS
(dq 使不能运转)
t
CHO
5
5
5
ns
RAS
至
CAS
延迟 时间 t
RCD
11 37 14 45 14 50 ns 5
RAS
至 column 地址 延迟 时间 t
RAD
9 2512301235ns6
行 地址 设置-向上 时间 t
ASR
0
0
0
ns
行 地址 支撑 时间 t
RAH
7
10
10
ns
column 地址 设置-向上 时间 t
ASC
0
0
0
ns
column 地址 支撑 时间 t
CAH
7
10
13
ns
column 地址 至
RAS
含铅的 时间 t
RAL
25
30
35
ns
读 command 设置-向上 时间 t
RCS
0
0
0
ns
读 command 支撑 时间 t
RCH
0
0
0
ns 9
读 command 支撑 时间
关联 至
RAS
t
RRH
0
0
0
ns 9
写 command 设置-向上 时间 t
WCS
0
0
0
ns 10
写 command 支撑 时间 t
WCH
7
10
13
ns
写 command 脉冲波 宽度 t
WP
7
10
10
ns
我们
脉冲波 宽度 (dq 使不能运转) t
WPE
7
10
10
ns
OE
command 支撑 时间 t
OEH
7
10
13
ns
OE
precharge 时间 t
OEP
7
10
10
ns
OE
command 支撑 时间 t
OCH
7
10
10
ns
写 command 至
RAS
含铅的 时间 t
RWL
7
10
13
ns
写 command 至
CAS
含铅的 时间 t
CWL
7
10
13
ns
数据-在 设置-向上 时间 t
DS
0
0
0
ns 11
数据-在 支撑 时间 t
DH
7
10
13
ns 11
OE
至 数据-在 延迟 时间 t
OED
13
15
20
ns
CAS
至
我们
延迟 时间 t
CWD
30
34
44
ns 10
column 地址 至
我们
延迟 时间 t
AWD
42
49
59
ns 10
RAS
至
我们
延迟 时间 t
RWD
67
79
94
ns 10
CAS
Precharge
我们
延迟 时间 t
CPWD
47
54
64
ns 10
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