MT3S35T
1 2002-08-19
toshiba 晶体管 硅 npn 外延的 planer 类型
MT3S35T
vco oscilletor 平台
uhf 低 噪音 放大器 应用
特性
低 噪音 图示 :nf=1.4db (@f=2ghz)
高 增益:|s21e|
2
=13.0db (@f=2ghz)
标记
最大 比率
(ta = 25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
8 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
4.5 v
发射级-根基 电压 V
EBO
1.5
V
集电级-电流 i
C
24 毫安
根基-电流 i
B
12 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
100 mw
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150 °c
单位: mm
TESM
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-1b1a
重量:0.0022g (典型值.)
3
1
2
q 2