MT3S35T
2 2002-08-19
微波 特性
(ta = 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
转变 频率 fT V
CE
=3v, i
C
=10ma, f=2ghz 16 20 - GHz
|S21e|
2
(1) v
CE
=3v, i
C
=10ma, f=1ghz 16 18 - dB
嵌入 增益
|S21e|
2
(2) v
CE
=3v, i
C
=10ma, f=2ghz 11 13 - dB
nf(1) v
CE
=3v, i
C
=2ma, f=1ghz - 1.1 - dB
噪音 图示
nf(2) v
CE
=3v, i
C
=2ma, f=2ghz - 1.4 1.9 dB
电的 特性
(ta = 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=8v, i
E
=0 - - 1 µa
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=1v, i
C
=0 - - 1 µa
直流 电流 增益 hFE V
CE
=3v, i
C
=10ma 70 - 140 -
输出 电容 C
ob
V
CB
=1v, i
E
=0, f=1mhz - 0.46 0.75 pF
反转 晶体管 电容 C
re
V
CB
=1v, i
E
=0, f=1mhz (便条 1) - 0.21 0.4 pF
便条 1:
cre 是 量过的 用 3 终端 方法 和 电容 桥.
提醒:
这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放.
请 制造 足够的 tool 和 设备 earthed 当 你 handle.
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