NTD40N03R
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3
1.8
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1000
100
10,000
8
4
12
0
20
0.016
010
4
42
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.032
0.040
1284
0.024
0.016
0.008
0
16
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
20
−50 50250−25 75 125100
034215
012168204
0
0.008
0.024
0.040
0202515105
V
GS
= 2.6 v
6
8
12
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
150
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
I
D
= 10 一个
V
GS
= 10 v
0.032
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
20
16
8
16
8 v
4 v
2.8 v
3 v
3.2 v
6 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 150
°
C
3.4 v
3.5 v
10 v